公开(公告)号：CN1154164C

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313)，此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造，因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后，以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后，电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。

公开(公告)号：CN1329750A

公开(公告)日：2002-01-02

申请号：CN99812156.8

申请日：1999-09-21

Applicant: 塞姆特里克斯公司 ,  松下电子工业株式会社

Inventor： 科吉·阿里塔 ,  林慎一郎 ,  约瑟夫·D·库奇阿罗 ,  卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种液态前体,用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313),其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时,这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313),此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造,因此在75℃下经过10