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公开(公告)号：CN101894911A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010224547.1
申请日：2010-07-13
Applicant: 复旦大学
Inventor： 叶立 , 周鹏 , 孙清清 , 吴东平 , 张卫
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体提供一种电阻型存储器的制备方法。该方法包括步骤（1）形成下电极；（2）在所述下电极上构图形成存储介质层；（3）在含有氧等离子的气氛中对所述存储介质层的表面进行富氧等离子体处理；（4）用惰性离子轰击所述存储介质层以使其无定形化；以及（5）形成上电极。以该方法制备的电阻型存储器具有数据保持特性高的特点。
