公开(公告)号：CN103474526B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201310313985.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋最敏 ,  吕泉 ,  王剑

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明属于硅基光电子技术领域，具体为一种基于硅材料的红外LED的制作方法。本发明利用飞秒脉冲激光在六氟化硫气氛中刻蚀p型硅衬底表面，既在硅晶体带隙中引入红外发光能级，又能够形成表面重掺的n+‑p结。通过对样品快速热退火处理来控制发光能级，并且提高发光强度。再通过磁控溅射的方法在n型区表面沉积一层既有利于导电又能够透射红外光的氧化铟锡薄膜，表面用铟引出电极。与正面电极相对应，通过蒸发镀膜在硅衬底背面p区形成铝电极，进而制成发光稳定的高效红外LED。本发明采用的方法简单，材料成本低，制备工艺与现有的光电子产业兼容。在正向偏压下，能够在1.4‑1.65μm波段产生较强且稳定的红外发光。

公开(公告)号：CN103474526A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310313985.9

申请日：2013-07-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 蒋最敏 ,  吕泉 ,  王剑

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明属于硅基光电子技术领域，具体为一种基于硅材料的红外LED的制作方法。本发明利用飞秒脉冲激光在六氟化硫气氛中刻蚀p型硅衬底表面，既在硅晶体带隙中引入红外发光能级，又能够形成表面重掺的n+-p结。通过对样品快速热退火处理来控制发光能级，并且提高发光强度。再通过磁控溅射的方法在n型区表面沉积一层既有利于导电又能够透射红外光的氧化铟锡薄膜，表面用铟引出电极。与正面电极相对应，通过蒸发镀膜在硅衬底背面p区形成铝电极，进而制成发光稳定的高效红外LED。本发明采用的方法简单，材料成本低，制备工艺与现有的光电子产业兼容。在正向偏压下，能够在1.4-1.65μm波段产生较强且稳定的红外发光。