一种快速生长双层石墨烯单晶的方法

    公开(公告)号:CN115726033B

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202111011430.X

    申请日:2021-08-31

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 孙正宗 巩鹏 唐灿

    Abstract: 本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单晶的方法,包括以下步骤:步骤1,把催化剂和抛光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管内,石英管外部有加热套和管式炉,将催化剂置于加热套中心,铜箔置于管式炉中央,打开连接石英管的真空泵,对加热套和管式炉进行升温,直到压强降低至预设压强;步骤2,在真空中对铜箔退火处理;步骤3,向石英管中通入氢气和二氧化碳,并迅速调节压力,在催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水,甲烷作为直接碳源,在含氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯单晶;步骤4,将铜箔从管式炉中央移出,通入氢气并在设定压力中迅速降温;步骤5,取出降温至室温的铜箔,并将铜箔上的双层石墨烯单晶转移到硅片上。

    一种基于脉冲电沉积-退火工艺的高效孪晶铜锡合金催化剂的制备方法

    公开(公告)号:CN116397252A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202111680823.X

    申请日:2021-12-28

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲电沉积‑退火工艺的高效孪晶铜锡合金催化剂的制备方法,具有这样的特征,包括以下步骤:步骤1,配制含有硫酸铜、硫酸亚锡以及硫酸的酸性电解液,采用脉冲电沉积技术,沉积在预定沉积基底上,在预定脉冲电沉积周期、预定脉冲时间、预定持续时间、预定脉冲电流密度以及预定对电极下,在酸性电解液中制备得到密度可控、高质量的孪晶铜锡电催化剂箔;步骤2,将孪晶铜锡催化剂箔放置在低压高真空度的退火炉中,在惰性或还原性气氛保护、预定退火温度以及预定退火时间下进行退火处理,得到高效孪晶铜锡合金催化剂。

    一种快速生长双层石墨烯单晶的方法

    公开(公告)号:CN115726033A

    公开(公告)日:2023-03-03

    申请号:CN202111011430.X

    申请日:2021-08-31

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 孙正宗 巩鹏 唐灿

    Abstract: 本发明提供了一种快速生长双层石墨烯单晶的方法,包括以下步骤:步骤1,把催化剂和抛光处理后的铜箔放入两个石英舟并置于石英管内,石英管外部有加热套和管式炉,将催化剂置于加热套中心,铜箔置于管式炉中央,打开连接石英管的真空泵,对加热套和管式炉进行升温,直到压强降低至预设压强;步骤2,在真空中对铜箔退火处理;步骤3,向石英管中通入氢气和二氧化碳,并迅速调节压力,在催化剂作用下反应生成甲烷、一氧化碳和水,甲烷作为直接碳源,在含氧刻蚀性组分中在铜箔上生长得到双层石墨烯单晶;步骤4,将铜箔从管式炉中央移出,通入氢气并在设定压力中迅速降温;步骤5,取出降温至室温的铜箔,并将铜箔上的双层石墨烯单晶转移到硅片上。

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