一种面向集成化芯片系统的供电结构

    公开(公告)号:CN116190346A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310194235.8

    申请日:2023-03-02

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: H01L23/522

    摘要: 本发明涉及半导体技术领域,具体是一种面向集成化芯片系统的供电结构,包括电源管理系统、中介层和集成化芯片系统,所述中介层包括基板层、RDL层和可垂直贯穿所述中介层的垂直连接结构,所述垂直连接结构的上下两端分别设置有互连件,所述电源管理系统通过所述互连件与所述垂直连接结构的上端连接,所述集成化芯片系统通过所述互连件与所述垂直连接结构的下端连接。本结构通过2.5D中介层技术能够实现电源管理系统与集成化芯片系统的高密度互连,满足了集成化芯片系统对供电电压的需求,并且能够实现封装体积小、电信号传输质量高的效果。

    一种基于数字LDO的完全可综合模拟电路设计方法

    公开(公告)号:CN118504508A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410573666.X

    申请日:2024-05-10

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明涉及模拟电路设计技术领域,具体是一种基于数字LDO的完全可综合模拟电路设计方法,包括(1)对数字LDO进行工艺库设计;(2)基于所述数字LDO的拓扑结构,对所述数字LDO的参数进行调整,得到满足设计要求的数字LDO;(3)对满足设计要求的数字LDO的结构参数进行RTL代码设计;(4)对RTL代码进行逻辑综合并生成电路网表文件;(5)基于电路网表文件,使用自动布局布线软件进行版图自动布局布线,经过验证后得到确认无误的版图;(6)根据确认无误的版图,采用版图提参软件,提取版图的相关寄生参数,并使用电路仿真软件对提取参数后的版图进行后仿真。本方法具有高效性和工艺可移植性等优点,此外能适用于各种电源场景。

    一种面向集成化芯片系统的供电结构

    公开(公告)号:CN219800840U

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202320372714.X

    申请日:2023-03-02

    申请人: 复旦大学

    IPC分类号: H01L23/522

    摘要: 本实用新型涉及半导体技术领域,具体是一种面向集成化芯片系统的供电结构,包括电源管理系统、中介层和集成化芯片系统,所述中介层包括基板层、RDL层和可垂直贯穿所述中介层的垂直连接结构,所述垂直连接结构的上下两端分别设置有互连件,所述电源管理系统通过所述互连件与所述垂直连接结构的上端连接,所述集成化芯片系统通过所述互连件与所述垂直连接结构的下端连接。本结构通过2.5D中介层技术能够实现电源管理系统与集成化芯片系统的高密度互连,满足了集成化芯片系统对供电电压的需求,并且能够实现封装体积小、电信号传输质量高的效果。