一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法

    公开(公告)号:CN113125474A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110295694.6

    申请日:2021-03-19

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法,包括以下步骤:(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定,得到样品/芯片器件;(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中,再插入透射电子显微镜中;(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场,并对样品/芯片器件通入电流,在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据,即完成。与现有技术相比,本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中,对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。

    一种在透射电子显微镜中施加温度梯度场的方法

    公开(公告)号:CN117030755A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311252525.X

    申请日:2023-09-26

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中施加原位温度梯度场的方法,包括以下步骤:(1)将装载待测微纳样品的测试芯片与原位样品杆固定,并使得待测微纳样品与样品杆形成通路;(2)将原位样品杆插入透射电子显微镜中,并连接外加直流源;(3)往测试芯片中通入预设好的直流电流,形成焦耳热并热传导至待测微纳样品上,即实现对待测微纳样品施加原位温度梯度场。与现有技术相比,本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中,对待测样品施加温度梯度场,具有加工简单,升温度范围广,可实时、实空间观察等优点。

    一种可实现原位直流电信号输入及原位热场的电学测试芯片

    公开(公告)号:CN118758977A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410504144.4

    申请日:2024-04-25

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明涉及一种可实现原位直流电信号输入及原位热场的电学测试芯片,包括:硅基片;位于硅基片两侧表面的绝缘层;位于所述硅基片其中一侧表面的绝缘层上的两套金属电路,其中一套金属电路作为加电电路,其包括分别用于直流电信号输入和接地的两个金属电极,所述绝缘层上还设有中央观察窗口,两个金属电极的一侧还延伸至所述中央观察窗口处;另一套金属电路作为加热电路,其以蛇形走线布置,并用于将产生热量热传导至放置的样品上,实现对样品的原位加热。采用本发明的透射电镜原位测试芯片可以实现在给微纳尺度的样品通入直流电的过程当中,同时进行宽温区升温,升温区间范围为300K至1100K。

    一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法

    公开(公告)号:CN113125474B

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202110295694.6

    申请日:2021-03-19

    申请人: 复旦大学

    摘要: 本发明涉及一种在透射电子显微镜中测试材料霍尔/反常霍尔效应的方法,包括以下步骤:(1)选取微纳尺度测试样品与原位测试芯片连接固定,得到样品/芯片器件;(2)将样品/芯片器件置于原位测试样品杆中,再插入透射电子显微镜中;(3)对样品/芯片器件所在区域施加磁场,并对样品/芯片器件通入电流,在透射电子显微镜同步观察过程中获取霍尔/反常霍尔效应相关数据,即完成。与现有技术相比,本发明实现了在透射电子显微镜原位测试平台中,对材料形貌/磁畴结构和输运特性的同步观察。