公开(公告)号：CN102690608A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210184424.9

申请日：2012-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 陈飞 ,  屈新萍

IPC: C09G1/02

Abstract: 本发明属于微电子抛光工艺技术领域，具体为一种用于金属钼抛光工艺的抛光液。该抛光液包含0-10%比重的氧化剂，0.1-25%的比重的研磨颗粒，0.001-10%比重的螯合剂，以及余量的水。所述螯合剂为硫酸铵，碳酸铵，硝酸铵或其它铵盐，或他们之中几种的混合物。所述抛光液PH值范围为5-10。本发明的抛光液所使用螯合剂能有效提高金属钼的静态腐蚀和抛光速率。

公开(公告)号：CN102117796A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN201110030627.8

申请日：2011-01-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 丁少锋 ,  屈新萍 ,  陈飞 ,  蒋玉龙 ,  茹国平

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  C22C27/04 ,  C22C19/07

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连结构及其制备方法。本发明利用CoxMoy合金层作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，x、y的取值范围为0.1-0.9,x和y之和为1。制备步骤为：在衬底上直接用PVD，CVD或者ALD技术淀积一层CoxMoy合金，然后沉积Cu籽晶层或直接电镀铜，得到铜互连结构。调节Co、Mo配比可获得较佳的Cu扩散阻挡性能和粘附性能。本发明利用Co、Mo合金做扩散阻挡层，粘附层和电镀籽晶层，不仅提高了Cu阻挡和粘附性能，并保证其在集成电路铜互连应用中的可靠性。所用方法简单、方便、实用性强。