公开(公告)号：CN115298721A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202080097850.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北野圭辅 ,  山本真树

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

Abstract: 发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λt2)是:在所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠短波长侧的波长(λ1)长，且是在比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠长波长侧的波长(λ2)短。

公开(公告)号：CN115298721B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202080097850.1

申请日：2020-03-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北野圭辅 ,  山本真树

IPC: G09F9/30 ,  H10K50/115 ,  H10K50/852 ,  H10K59/35 ,  H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H05B33/24 ,  H05B33/28

Abstract: 发光元件包括:反射电极；透明电极；发光层，设于所述反射电极和所述透明电极之间，且包含量子点；以及选择性反射层，其相对于所述透明电极设置在所述发光层的相反侧，并具有反射率比其他波段高的反射波段，所述选择性反射层的反射波段的长波长端的波长(λt2)是:在所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠短波长侧的波长(λ1)长，且是在比所述量子点的电场发光的发光光谱的半峰值处比所述量子点的电场发光的发光光谱的峰值波长(λ0)靠长波长侧的波长(λ2)短。

公开(公告)号：CN115868248A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202080102811.6

申请日：2020-08-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北野圭辅 ,  山本真树

IPC: H05B33/14

Abstract: 一种发光元件包括：第一发光层，其具有第一量子点，并发出包含第一峰值波长的第一光；第二发光层，其具有第二量子点，并发出包含第二峰值波长的第二光，第二峰值波长成为大于第一峰值波长的波长；基板，其在面上供第一发光层和第二发光层在第一方向上相邻配置；以及第一堤，其在基板上，以分隔第一发光层与第二发光层的方式设置，第一堤使第一光透射。