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公开(公告)号：CN111541147A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010078046.0
申请日：2020-02-02
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现激光发光的损失小的半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件的特征在于，具备：基板；第一导电型半导体层，其形成在基板上；发光层，其形成在第一导电型半导体层上；第二导电型半导体层，其形成在发光层上，并具有条纹状的凸部；透明导电层，其在第二导电型半导体层的凸部上形成；导电性的保护层，其形成在透明导电层上；介电膜，其对第二导电型半导体层的凸部的侧面、透明导电层的侧面以及保护层的侧面进行覆盖；以及上部电极，其形成在保护层上，透明导电层的上表面的整个面由保护层覆盖，保护层的上表面的一部分由介电膜覆盖。
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公开(公告)号：CN110061419A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910024786.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。
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公开(公告)号：CN110061419B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201910024786.3
申请日：2019-01-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明实现一种能够充分抑制源自制造过程的污染的、具有较高的可靠性的半导体激光器元件。半导体激光器元件(303)具有朝向其第一端延伸的光波导，光波导依次具有第一包覆层(2)、活性层(3)、第二包覆层(4)以及电极层(10)。在光波导的第二端从活性层(3)的一侧依次具有电介质膜(8)以及金属膜(9)的反射面横穿活性层(3)。
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