液晶单元的制造方法和液晶单元

    公开(公告)号:CN109844626A

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201780062071.6

    申请日:2017-10-02

    Abstract: 本发明的液晶单元的制造方法具备:薄膜形成工序,在一对带电极的基板中的至少一方带电极的基板的表面形成薄膜,上述一对带电极的基板包括:TFT基板,其具有第1电介质基板、支撑于上述第1电介质基板的多个TFT和电连接到上述TFT的多个贴片电极;以及缝隙基板,其具有第2电介质基板、支撑于上述第2电介质基板的包含多个缝隙的缝隙电极,在该薄膜形成工序中,上述薄膜是以覆盖上述贴片电极和/或上述缝隙电极的形式来形成;以及光照射工序,向上述薄膜照射包含p偏振光的光,得到对上述薄膜赋予使液晶分子取向的取向限制力而成的取向膜,上述液晶单元的制造方法的特征在于,上述薄膜包含聚合物,该聚合物具有光反应性官能基,沿着与上述p偏振光的偏振轴正交的方向表现出上述薄膜的取向限制力。

    液晶面板和液晶显示装置

    公开(公告)号:CN101595425A

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200880003382.6

    申请日:2008-01-31

    CPC classification number: G02F1/1395 G02F1/133707 G02F1/13394

    Abstract: 本发明提供液晶面板和液晶显示装置。本发明的液晶面板是OCB模式液晶面板(10a),其在有源矩阵基板与对置基板之间包括从展曲取向向弯曲取向转变的液晶层,上述有源矩阵基板具有由扫描信号线(16)和数据信号线(15)构成的信号线、与该信号线连接的晶体管(12)、以及与由上述信号线划分的像素区域对应设置的像素电极(17),在上述有源矩阵基板的表面上,以与相邻的2个像素电极(17)的间隙和上述信号线(15、16)重叠的方式形成有用于抑制从弯曲取向向展曲取向的逆转变的台阶部(7)。根据上述结构,在OCB模式液晶面板中,能够抑制由显示中的逆转变(弯曲→展曲转变)引起的展曲取向在像素内扩展。

    液晶显示装置及其电位设定方法

    公开(公告)号:CN102473387B

    公开(公告)日:2014-07-09

    申请号:CN201080030277.9

    申请日:2010-03-25

    Abstract: 液晶显示装置的(1)具备:多条源极总线(14);多条栅极总线(11),其与多条源极总线(14)交叉;多个像素(30),其具有TFT(5)、像素电极(19)、共用电极(24)以及液晶层(4),与多条栅极总线(11)和多条源极总线(14)的各个交叉点对应地配置成矩阵状;以及电位控制部,其控制共用电极(24)的电位。并且,电位控制部将从共用电极(24)的电位Vcenf255减小规定电压后的电压设定为在多个像素(30)的全部中显示255灰度级的情况下的共用电极(24)的电位的中心电压设为Vcen255,上述共用电极(24)的电位Vcenf255为将黑显示设为0灰度级、将白显示设为255灰度级、将按每1像素显示0灰度级和255灰度级的情况下的闪烁最小的共用电极(24)的电位。

    液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法

    公开(公告)号:CN101617265A

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200780051542.X

    申请日:2007-11-06

    Inventor: 片山崇

    CPC classification number: G02F1/133753 G02F1/133555 G02F2001/133761

    Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明实现能够抑制生产成本的上升且在反射区域和透过区域中进行同样的显示的液晶显示装置。反射区域中的液晶层的厚度为透过区域中的液晶层的厚度的90%以上且110%以下,反射区域中的液晶层所包含的液晶分子的预倾角比透过区域中液晶层所包含的液晶分子的预倾角大。

Patent Agency Ranking