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公开(公告)号：CN113394962B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110195677.5
申请日：2021-02-19
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
IPC: H02M1/34
Abstract: 缓冲电路(1)与具备高电位节点、开关节点和基准电位节点的开关电路(5)连接。开关电路(5)具有上侧开关元件(HS1)、下侧开关元件(LS1)和旁路电容器(BC1)。缓冲电路(1)具备缓冲电容器(SC1)、二极管(SD1)和线圈(SL1)。缓冲电容器(SC1)的正极与高电位节点连接。二极管(SD1)的阳极与缓冲电容器的负极连接，阴极与上述开关节点连接。线圈(SL1)的一端与缓冲电容器的负极连接，另一端与基准电位节点连接。本发明还涉及一种具备该缓冲电路的电源装置。
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公开(公告)号：CN111327200A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911269221.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
Abstract: 本发明可以有效地降低半桥电路中的瞬态电流。在半桥电路(1)中，当晶体管元件(TTR1)导通时，初级绕组电流从电源(TV1)流向初级绕组(PW1)。之后，当晶体管元件(TTR1)截止时，(i)第一整流元件电流从次级绕组(SW1)流向第一整流元件(FR1)，并对第一开关元件(FSW1)施加第一开关元件用第一反向电压，或者，(ii)第二整流元件电流从第三级绕组(TW1)流向第二整流元件(SR1)，并对第二开关元件(SSW1)施加第二开关元件用第一反向电压。
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公开(公告)号：CN110741546A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201880032746.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
Abstract: 本发明提供一种整流电路，具备：HEMT；和二极管，其与HEMT反向并联，二极管的导通开始时的正向电压降小于与HEMT以接通状态反向导通时的整流电流的量对应的HEMT以断开状态反向导通时的电压降，连结HEMT的源极端子和漏极端子的路径中的经由二极管的路径的电感大于经由HEMT的路径的电感，蓄积于二极管的寄生电容的电荷的量少于蓄积于HEMT的输出电容的电荷的量。由此，提供一种减少了由蓄积于HEMT的输出电容的电荷引起的开关损失的整流电路。
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公开(公告)号：CN106664082B
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201580035608.0
申请日：2015-02-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H03K17/16 , H02M3/155 , H03K17/10 , H03K17/695
Abstract: 将高耐压的常导通型晶体管(T1)与低耐压的常截止型晶体管(T2)串联连接，并设置与晶体管(T2)反向并联的二极管(D1、D2)。将晶体管(T1)的栅极端子连接到晶体管(T2)的源极端子，并设置对晶体管(T2)的栅极端子输出控制信号的栅极驱动电路(11)。使二极管(D2)的正向电压低于二极管(D1)的正向电压，使经由二极管(D2)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分大于经由二极管(D1)将节点(N2)、(N3)相连的路径的电感成分。由此，提供包括串联连接的晶体管且削减了变为截止时的瞬态电流的开关电路。
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公开(公告)号：CN110741546B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201880032746.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
Abstract: 本发明提供一种整流电路，具备：高电子迁移率晶体管HEMT；和二极管，其与HEMT反向并联，二极管的导通开始时的正向电压降小于与HEMT以接通状态反向导通时的整流电流的量对应的HEMT以断开状态反向导通时的电压降，连结HEMT的源极端子和漏极端子的路径中的经由二极管的路径的电感大于经由HEMT的路径的电感，蓄积于二极管的寄生电容的电荷的量少于蓄积于HEMT的输出电容的电荷的量。由此，提供一种减少了由蓄积于HEMT的输出电容的电荷引起的开关损失的整流电路。
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公开(公告)号：CN112385130A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980043877.X
申请日：2019-06-25
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
IPC: H02M3/155
Abstract: 有效地降低整流电路中的瞬态电流。在整流电路(1)中，在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间设有第一整流元件(FR1)。在整流电路(1)中，当使开关元件(TT1)导通时，初级绕组电流从电源(TP1)流向变压器(TR1)的初级绕组(PW1)。当使开关元件(TT1)截止时，第二整流元件电流从变压器(TR1)的次级绕组(SW1)流向第二整流元件(SR1)。通过流过第二整流元件电流，从而在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间施加瞬时的反向电压即第一反向电压。
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公开(公告)号：CN112272915A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201980039489.4
申请日：2019-05-29
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 盐见竹史
IPC: H02M3/155
Abstract: 有效地降低整流电路中的瞬态电流。在整流电路(1)中，在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间设有第一整流元件(FR1)。在整流电路(1)中，当使开关元件(TT1)导通时，初级绕组电流从电源(TP1)流向变压器(TR1)的初级绕组(PW1)。当使开关元件(TT1)截止时，第二整流元件电流从变压器(TR1)的次级绕组(SW1)流向第二整流元件(SR1)。第二整流元件电流流通的期间内，在第一端子(FT1)与第二端子(ST1)之间施加反向电压。
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公开(公告)号：CN104685774B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201380051233.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , H02M1/088 , Y02B70/1475
Abstract: DC‑DC转换器具备：变压器；开关电路，其设置于上述变压器的初级侧；以及整流电路，其设置于上述变压器的次级侧。上述整流电路包含第1整流部，上述第1整流部是第1晶体管和第2晶体管的串联连接体，上述第2晶体管的第1电极连接到上述第1晶体管的第2电极。上述第1晶体管和第2晶体管各自具有正向连接到第2电极和第1电极间的寄生二极管，上述第1晶体管的第1电极和第2电极间的耐压高于上述第2晶体管的第1电极和第2电极间的耐压。
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公开(公告)号：CN106300957A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610457033.8
申请日：2016-06-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H02M1/4225 , H02M1/4233 , H02M7/487 , Y02B70/126 , Y02P80/112 , H02M1/4216 , H02M7/06
Abstract: 功率因数改善电路(1)具备：线圈(11)和MOSFET(21、22)，其对输入电压进行升压，生成升压电压；电容器(41)，其一端连接到输出端子(42)，其一端连接到中间节点(Nm)，另一端连接到输出端子(54)。当在第1动作模式中输入正电压时，将升压电压施加到电容器(41)的两端，当在第1动作模式中输入负电压时，将升压电压施加到电容器(42)的两端，在第2动作模式中，将升压电压施加到串联连接的电容器(41、42)的两端。由此，提供能够高效率地适应大范围的输入电压的功率因数改善电路。(53)，另一端连接到中间节点(Nm)；以及电容器
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