公开(公告)号：CN102714147A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005087.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 若狭加奈子 ,  坂上英和 ,  坪井俊树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412

Abstract: 本发明的气相沉积装置(1A)具有：配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20)；具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10)；用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间，且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。