电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法

    公开(公告)号:CN109494139B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201811050597.5

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 本发明提供一种能使现有的电子发射元件实现特性提升及/或寿命增长且具有新颖构造的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包含:步骤A,准备铝基板(12)或由基板支承的铝层;步骤B,通过使铝基板的表面(12s)或铝层的表面阳极氧化,而形成具有多个细孔(34)的多孔氧化铝层(32);步骤C,通过向多个细孔内赋予银纳米粒子(42n),而使多个细孔内承载银纳米粒子;步骤D,在步骤C之后,对铝基板或铝层的实质整个表面,赋予绝缘层形成溶液(36);步骤E,在步骤D之后,通过至少减少绝缘层形成溶液中所含的溶剂而形成绝缘层(37);及步骤F,在绝缘层上形成电极(52)。

    分析装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110320263B

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:CN201910248325.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明提供可容易地将试样离子化的分析装置。本发明的分析装置(100)具备离子化部(20)、离子分离部(30)和离子检测部(40)。离子化部(20)生成来自试样成分的离子。离子分离部(30)根据离子的迁移率分离离子。离子检测部(40)检测通过离子分离部(30)的离子。离子化部(20)包含反应室(21)和电子释放元件(22)。向反应室(21)中导入试样。电子释放元件(22)向反应室(21)释放电子。

    分析装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110320263A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910248325.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明提供可容易地将试样离子化的分析装置。本发明的分析装置(100)具备离子化部(20)、离子分离部(30)和离子检测部(40)。离子化部(20)生成来自试样成分的离子。离子分离部(30)根据离子的迁移率分离离子。离子检测部(40)检测通过离子分离部(30)的离子。离子化部(20)包含反应室(21)和电子释放元件(22)。向反应室(21)中导入试样。电子释放元件(22)向反应室(21)释放电子。

    电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法

    公开(公告)号:CN109494139A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811050597.5

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 本发明提供一种能使现有的电子发射元件实现特性提升及/或寿命增长且具有新颖构造的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包含:步骤A,准备铝基板(12)或由基板支承的铝层;步骤B,通过使铝基板的表面(12s)或铝层的表面阳极氧化,而形成具有多个细孔(34)的多孔氧化铝层(32);步骤C,通过向多个细孔内赋予银纳米粒子(42n),而使多个细孔内承载银纳米粒子;步骤D,在步骤C之后,对铝基板或铝层的实质整个表面,赋予绝缘层形成溶液(36);步骤E,在步骤D之后,通过至少减少绝缘层形成溶液中所含的溶剂而形成绝缘层(37);及步骤F,在绝缘层上形成电极(52)。

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