公开(公告)号：CN1656617A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03811609.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 夏普株式会社 ,  川崎雅司 ,  大野英男

Inventor： 吉冈宏人 ,  藤田达也 ,  越智久雄 ,  杉原利典 ,  原猛 ,  川崎雅司 ,  大野英男

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在逆参差型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顺参差型的MOSFET等，通用性也高。

公开(公告)号：CN100369267C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN03811609.X

申请日：2003-03-26

Applicant: 夏普株式会社 ,  川崎雅司 ,  大野英男

Inventor： 吉冈宏人 ,  藤田达也 ,  越智久雄 ,  杉原利典 ,  原猛 ,  川崎雅司 ,  大野英男

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在底栅型的MOSFET(1)中，用无定形的氧化铝形成相对于由氧化锌构成的作为上述半导体层的沟道层(5)的栅绝缘层(4)。通过形成如此的结构，在沟道层(5)和栅绝缘层(4)的界面的缺陷能级被降低，能够得到与用结晶性叠层膜制作全部叠层膜的半导体装置同等水平的性能。另外，如此的方法，也能够用于顶栅型的MOSFET等，通用性也高。