公开(公告)号：CN1049018C

公开(公告)日：2000-02-02

申请号：CN95194966.7

申请日：1995-07-17

申请人： 大不列颠及北爱尔兰联合王国国防大臣

发明人： P·G·帕特里奇

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/26

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C23C16/27 ,  C23C16/271

摘要： 一种采用化学气相沉积(CVD)技术使金刚石生长以制造空心金刚石管的方法。将合适的基材，典型的是丝材，如具有金刚石核晶中心的钨、钼、铜或硅的丝材制成螺旋圈，然后将螺旋丝置于或通过CVD室，让金刚石沉积在螺旋丝上。设定合适的螺旋圈间距和直径使金刚石沉积在螺旋丝上，直至金刚石的生长表面汇合，形成空心的金刚石管。

公开(公告)号：CN1157641A

公开(公告)日：1997-08-20

申请号：CN95194966.7

申请日：1995-07-17

申请人： 大不列颠及北爱尔兰联合王国国防大臣

发明人： P·G·帕特里奇

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/26

CPC分类号： C23C16/4418 ,  C23C16/27 ,  C23C16/271

摘要： 一种采用化学气相沉积(CVD)技术使金刚生长以制造空心金刚管的方法。将合适的基材，典型的是丝材，如具有金刚核晶中心的钨、钼、铜或硅的丝材制成螺旋丝，然后将螺旋丝置于或通过CVD室，让金刚沉积在螺旋丝上。设定合适的螺旋丝间距和直径使金刚沉积在螺旋丝上，直至金刚的生长表面熔融，形成空心的金刚管。