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公开(公告)号：CN112210693B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011054035.5
申请日：2020-09-30
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种具有高温自润滑特性的Cu‑Ni‑Al合金及其制备方法，属于高温耐磨铜合金领域。该合金由L12型Ni3Al基固溶体和FCC结构Cu基固溶体两相组成，且两相共格。其中，前者为高温硬质相，保证其高温下耐摩擦磨损性能；后者作为润滑相，提供高温自润滑特性。通过真空电弧熔炼以及合适的热处理工艺便可一次性获得具有高温自润滑特性的Cu‑Ni‑Al合金，可操作性强，重复性高。同时，避免了合金成分不均匀及制造缺陷多的的问题。此合金有望在高温、高重载的条件下使用，如高速列车电机转子摩擦盘，高温电加工模具以及自润滑轴承等。
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公开(公告)号：CN110195208B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910506035.5
申请日：2019-06-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米晶或非晶态。使用射频磁控溅射法制备，整体氧化，可获得均匀致密、表面平整的氧化物薄膜。通过调整V元素的含量以及氧气分压可改变薄膜性能，使薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107区间变化。该薄膜性能可从导体过渡到半导体，可用于光学材料、电容器材料以及高硬耐磨材料。
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公开(公告)号：CN116555625A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310519805.6
申请日：2023-05-08
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种多尺度多相共格析出强化Cu‑Ni‑Al‑Co‑Cr‑Ti系耐高温铜合金及其制备方法，其属于耐高温铜合金领域。该铜合金的质量百分比组成为Cu：56.65～62.61wt％，Ni：23.30～25.76％，Al：4.22～4.66 wt％，Co：6.43～7.11 wt％，Cr：2.32～2.56wt％，Ti：2.08～2.30wt％。通过多组元的协同作用，该铜合金不但提升γ'相的高温稳定性，而且以“多尺度多相在面心立方基体中共格析出”特征同时提高了合金的常、高温强度，另外多组元可以提升晶界强度，合金室温极限抗拉强度不低于790MPa，800℃极限抗拉强度不低于215MPa。
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公开(公告)号：CN108359939B
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201810180973.6
申请日：2018-03-06
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：(AlyCoCrFeNi)1‑xOx，x=0.3～0.7，y=0～1.0，磁控溅射靶材Al:Co:Cr:Fe:Ni的原子比为y:1:1:1:1；薄膜呈纳米晶或非晶态，整体氧化。通过调整x和y可使带隙宽度在2.20～4.20 eV区间、硬度在7～20 Gpa区间、电阻率在1×107～1×1019μΩ·cm区间连续变化，且在不同基体上生长的薄膜呈现透明或不同颜色。磁控溅射法制备薄膜方法成熟，可获得纳米晶或非晶态结构，整体氧化、薄膜均匀致密且表面平整。该薄膜灵活选择改变金属元素或改变氧分压来大范围调整，又可以带来性能（带隙宽度、硬度、电阻率、颜色等）的大范围调整，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于光学、微电子器件、高硬耐磨及装饰薄膜等领域。
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公开(公告)号：CN110106490A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910506034.0
申请日：2019-06-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法，属于高熵合金、耐高温技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVx，x=0～2，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米柱状晶形态，单相BCC结构。使用射频磁控溅射法制备，可获得均匀致密、表面平整的薄膜。通过改变V元素含量调整薄膜的性能，其中电阻率不但可以在45～100.0 区间连续变化，而且具有优异的稳定性，在室温到600℃范围能保持恒定；硬度在7～15Gpa区间连续变化。该薄膜耐高温性能优异，且其性能可调范围大，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于微电子器件、耐高温材料以及高硬耐磨等领域。
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公开(公告)号：CN116555625B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310519805.6
申请日：2023-05-08
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种多尺度多相共格析出强化Cu‑Ni‑Al‑Co‑Cr‑Ti系耐高温铜合金及其制备方法，其属于耐高温铜合金领域。该铜合金的质量百分比组成为Cu：56.65～62.61wt％，Ni：23.30～25.76％，Al：4.22～4.66 wt％，Co：6.43～7.11 wt％，Cr：2.32～2.56wt％，Ti：2.08～2.30wt％。通过多组元的协同作用，该铜合金不但提升γ'相的高温稳定性，而且以“多尺度多相在面心立方基体中共格析出”特征同时提高了合金的常、高温强度，另外多组元可以提升晶界强度，合金室温极限抗拉强度不低于790MPa，800℃极限抗拉强度不低于215MPa。
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公开(公告)号：CN112210693A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011054035.5
申请日：2020-09-30
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种具有高温自润滑特性的Cu‑Ni‑Al合金及其制备方法，属于高温耐磨铜合金领域。该合金由L12型Ni3Al基固溶体和FCC结构Cu基固溶体两相组成，且两相共格。其中，前者为高温硬质相，保证其高温下耐摩擦磨损性能；后者作为润滑相，提供高温自润滑特性。通过真空电弧熔炼以及合适的热处理工艺便可一次性获得具有高温自润滑特性的Cu‑Ni‑Al合金，可操作性强，重复性高。同时，避免了合金成分不均匀及制造缺陷多的的问题。此合金有望在高温、高重载的条件下使用，如高速列车电机转子摩擦盘，高温电加工模具以及自润滑轴承等。
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公开(公告)号：CN110106490B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910506034.0
申请日：2019-06-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种耐高温高熵合金NbMoTaWV薄膜及其制备方法，属于高熵合金、耐高温技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVx，x=0～2，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米柱状晶形态，单相BCC结构。使用射频磁控溅射法制备，可获得均匀致密、表面平整的薄膜。通过改变V元素含量调整薄膜的性能，其中电阻率不但可以在45～100.0 区间连续变化，而且具有优异的稳定性，在室温到600℃范围能保持恒定；硬度在7～15Gpa区间连续变化。该薄膜耐高温性能优异，且其性能可调范围大，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于微电子器件、耐高温材料以及高硬耐磨等领域。
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公开(公告)号：CN110195208A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910506035.5
申请日：2019-06-12
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，Nb:Mo:Ta:W:V接近1:1:1:1:x；呈纳米晶或非晶态。使用射频磁控溅射法制备，整体氧化，可获得均匀致密、表面平整的氧化物薄膜。通过调整V元素的含量以及氧气分压可改变薄膜性能，使薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107 区间变化。该薄膜性能可从导体过渡到半导体，可用于光学材料、电容器材料以及高硬耐磨材料。
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公开(公告)号：CN108359939A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810180973.6
申请日：2018-03-06
申请人： 大连理工大学
摘要： 一种可变带隙的AlCoCrFeNi高熵合金氧化物半导体薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：(AlyCoCrFeNi)1-xOx，x=0.3～0.7，y=0～1.0，磁控溅射靶材Al:Co:Cr:Fe:Ni的原子比为y:1:1:1:1；薄膜呈纳米晶或非晶态，整体氧化。通过调整x和y可使带隙宽度在2.20～4.20 eV区间、硬度在7～20 Gpa区间、电阻率在1×107～1×1019μΩ·cm区间连续变化，且在不同基体上生长的薄膜呈现透明或不同颜色。磁控溅射法制备薄膜方法成熟，可获得纳米晶或非晶态结构，整体氧化、薄膜均匀致密且表面平整。该薄膜灵活选择改变金属元素或改变氧分压来大范围调整，又可以带来性能（带隙宽度、硬度、电阻率、颜色等）的大范围调整，拓宽了薄膜的应用领域，可应用于光学、微电子器件、高硬耐磨及装饰薄膜等领域。
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