公开(公告)号：CN108408684A

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201810372288.3

申请日：2018-04-17

申请人： 大连理工大学

发明人： 邹赫麟 ,  豆姣 ,  伊茂聪 ,  王上飞 ,  陈达

IPC分类号： B81C3/00

摘要： 本发明属于对准键合技术领域，涉及一种用于MEMS器件制作的对准键合装置。该装置包括底座、主二维式移动平台、支撑架、副三维式移动平台、调平组件、旋转组件和CCD观测组件；底座上设有支架，支架可拆卸安装CCD观测组件；主二维式移动平台固定在底座上，支撑架固定在主二维式移动平台上；副三维式移动平台固定在支撑架上，XY轴移动平台是磁铁式移动平台，Z轴移动平台是螺旋丝杆平台；调平组件是球面接触式调平，固定在Z轴移动平台上；旋转组件用于球面接触式调平，位于调平组件的上方，底部的不完整球体与调平组件相接触。本发明的对准键合装置集对准、调平和键合功能为一体，解决了手动对准芯片误差较大的问题。

公开(公告)号：CN110526204B

公开(公告)日：2023-01-24

申请号：CN201910711623.2

申请日：2019-08-02

申请人： 大连理工大学

发明人： 邹赫麟 ,  王上飞 ,  丁飞 ,  王凤伟

IPC分类号： B81C1/00 ,  B41J2/01

摘要： 本发明属于MEMS领域金属微电极制备技术领域，涉及一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法。采用多步腐蚀的方法制备压电喷墨打印头铜微电极的方法，利用MEMS技术中的光刻工艺制备铜电极掩蔽层，将裸露的铜电极表面腐蚀生成中间产物CuCl，利用能去除CuCl而不腐蚀铜的溶液腐蚀CuCl即得到侧蚀小的铜微电极结构。采用本发明的方法可以大大减少铜电极在FeCl3溶液中的停留时间，从而有效减小铜电极边壁的侧蚀量以及提高腐蚀均匀性。本方法制备的压电喷墨打印头铜微电极结构，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好。

公开(公告)号：CN108408684B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201810372288.3

申请日：2018-04-17

申请人： 大连理工大学

发明人： 邹赫麟 ,  豆姣 ,  伊茂聪 ,  王上飞 ,  陈达

IPC分类号： B81C3/00

摘要： 本发明属于对准键合技术领域，涉及一种用于MEMS器件制作的对准键合装置。该装置包括底座、主二维式移动平台、支撑架、副三维式移动平台、调平组件、旋转组件和CCD观测组件；底座上设有支架，支架可拆卸安装CCD观测组件；主二维式移动平台固定在底座上，支撑架固定在主二维式移动平台上；副三维式移动平台固定在支撑架上，XY轴移动平台是磁铁式移动平台，Z轴移动平台是螺旋丝杆平台；调平组件是球面接触式调平，固定在Z轴移动平台上；旋转组件用于球面接触式调平，位于调平组件的上方，底部的不完整球体与调平组件相接触。本发明的对准键合装置集对准、调平和键合功能为一体，解决了手动对准芯片误差较大的问题。

公开(公告)号：CN110526204A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910711623.2

申请日：2019-08-02

申请人： 大连理工大学

发明人： 邹赫麟 ,  王上飞 ,  丁飞 ,  王凤伟

IPC分类号： B81C1/00 ,  B41J2/01

摘要： 本发明属于MEMS领域金属微电极制备技术领域，涉及一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法。采用多步腐蚀的方法制备压电喷墨打印头铜微电极的方法，利用MEMS技术中的光刻工艺制备铜电极掩蔽层，将裸露的铜电极表面腐蚀生成中间产物CuCl，利用能去除CuCl而不腐蚀铜的溶液腐蚀CuCl即得到侧蚀小的铜微电极结构。采用本发明的方法可以大大减少铜电极在FeCl3溶液中的停留时间，从而有效减小铜电极边壁的侧蚀量以及提高腐蚀均匀性。本方法制备的压电喷墨打印头铜微电极结构，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好。