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公开(公告)号:CN112345928A
公开(公告)日:2021-02-09
申请号:CN202011106319.4
申请日:2020-10-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/327 , G01R19/00
Abstract: 本发明属于弧后电流测量技术领域,涉及一种基于隧道磁阻元件的弧后电流测量方法。本发明采用TMR元件测量弧后电流,响应速度达到μs级、灵敏度达到mV/Oe,适合高频微电流的检测。且TMR元件提供差分电压输出,可消除温度对电流测量的影响。本发明实现了非接触式测量,提高了测量的安全性。且将待测的电流量转化为磁场量测量,不改变断路器装置原有结构。
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公开(公告)号:CN110428999A
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201910680797.7
申请日:2019-07-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于高压真空开关技术领域,涉及一种多断口真空断路器电压分布的外加磁场控制系统。一种改善多断口真空断路器电压分布的外加磁场控制系统,包括电源单元、故障电流检测与控制单元、球隙点火单元、磁场发生单元。系统能够快速预测出故障电流峰值,与预设的数值相对比,得到本电流下各断口最佳磁场施加时刻,并分别发送给对应的球隙点火单元完成磁场施加。本发明采用多套独立的电源单元、球隙点火单元与磁场发生单元,通过调节系统参数,能够更细致地分别控制不同断口外加磁场的强度、施加时刻和施加时长,最终达到改善电压分布的目的。
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公开(公告)号:CN111627748B
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202010446225.5
申请日:2020-05-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01H33/664 , H01H33/662
Abstract: 本发明属于电力设备领域,涉及一种基于速度调控的双断口异构灭弧室。双断口真空断路器的电压分布主要由过零时的断口等效电容决定和低压侧的杂散电容决定。为了实现电压均衡分布,需要在双断口两端并联均压电容。但均压电容会增加弧后电流,限制双断口真空开关的开断能力。本专利设计了一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,通过改变触头结构,减少均压电容的使用。实现不同开断情况下的电压均衡分布。可以采用两种方式来实现:(1)采用不同速度分断时,加快高压侧的分闸速度;(2)采用相同速度分断时,同时提高两个断口的分闸速度。
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公开(公告)号:CN111627748A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN202010446225.5
申请日:2020-05-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01H33/664 , H01H33/662
Abstract: 本发明属于电力设备领域,涉及一种基于速度调控的双断口异构灭弧室。双断口真空断路器的电压分布主要由过零时的断口等效电容决定和低压侧的杂散电容决定。为了实现电压均衡分布,需要在双断口两端并联均压电容。但均压电容会增加弧后电流,限制双断口真空开关的开断能力。本专利设计了一种基于速度调控的双断口异构灭弧室,通过改变触头结构,减少均压电容的使用。实现不同开断情况下的电压均衡分布。可以采用两种方式来实现:(1)采用不同速度分断时,加快高压侧的分闸速度;(2)采用相同速度分断时,同时提高两个断口的分闸速度。
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公开(公告)号:CN112345928B
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202011106319.4
申请日:2020-10-16
Applicant: 大连理工大学
IPC: G01R31/327 , G01R19/00
Abstract: 本发明属于弧后电流测量技术领域,涉及一种基于隧道磁阻元件的弧后电流测量方法。本发明采用TMR元件测量弧后电流,响应速度达到μs级、灵敏度达到mV/Oe,适合高频微电流的检测。且TMR元件提供差分电压输出,可消除温度对电流测量的影响。本发明实现了非接触式测量,提高了测量的安全性。且将待测的电流量转化为磁场量测量,不改变断路器装置原有结构。
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公开(公告)号:CN111952114B
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202010645812.7
申请日:2020-07-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01H33/666
Abstract: 本发明属于真空开关均压领域,涉及一种用于双断口真空开关均压的三阶段速度控制方法。本发明通过控制真空开关操动机构的分闸速度,按照三阶段速度调控方法,改变了电弧电流上升阶段与熄弧阶段电弧的形态,进而影响弧后介质强度恢复过程,起到了均衡双断口真空开关恢复电压的作用,减小了真空开关均压电容的使用,延长了操动机构的使用寿命。
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公开(公告)号:CN110428999B
公开(公告)日:2021-01-19
申请号:CN201910680797.7
申请日:2019-07-26
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于高压真空开关技术领域,涉及一种多断口真空断路器电压分布的外加磁场控制系统。一种改善多断口真空断路器电压分布的外加磁场控制系统,包括电源单元、故障电流检测与控制单元、球隙点火单元、磁场发生单元。系统能够快速预测出故障电流峰值,与预设的数值相对比,得到本电流下各断口最佳磁场施加时刻,并分别发送给对应的球隙点火单元完成磁场施加。本发明采用多套独立的电源单元、球隙点火单元与磁场发生单元,通过调节系统参数,能够更细致地分别控制不同断口外加磁场的强度、施加时刻和施加时长,最终达到改善电压分布的目的。
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公开(公告)号:CN111952114A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN202010645812.7
申请日:2020-07-07
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01H33/666
Abstract: 本发明属于真空开关均压领域,涉及一种用于双断口真空开关均压的三阶段速度控制方法。本发明通过控制真空开关操动机构的分闸速度,按照三阶段速度调控方法,改变了电弧电流上升阶段与熄弧阶段电弧的形态,进而影响弧后介质强度恢复过程,起到了均衡双断口真空开关恢复电压的作用,减小了真空开关均压电容的使用,延长了操动机构的使用寿命。
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