公开(公告)号：CN111218702B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202010204923.4

申请日：2020-03-22

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马学虎 ,  杨思艳 ,  温荣福 ,  杜宾港 ,  于星瞳 ,  陶沿宪 ,  郝婷婷 ,  兰忠 ,  白涛

IPC: C25D5/02 ,  C25D3/38 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种能制备多种纳米线结构的表面制备方法，其属于表面处理技术领域。该方法利用模板辅助的电镀方法，通过改变模板孔间距、孔径和电镀时长，能形成直立型、团聚型、圆坑型等多种结构形貌，且能改变直立型和团聚型的结构高度和夹角。纳米线高4‑50µm，纳米线中心距60‑500nm，纳米线直径5‑400nm。该种制备方法所制得的表面形貌可控、结构形式多样化且可跨尺度，直立型和团聚型能被用于冷凝、圆坑型能被用于沸腾等相变传热领域。

公开(公告)号：CN111218702A

公开(公告)日：2020-06-02

申请号：CN202010204923.4

申请日：2020-03-22

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马学虎 ,  杨思艳 ,  温荣福 ,  杜宾港 ,  于星瞳 ,  陶沿宪 ,  郝婷婷 ,  兰忠 ,  白涛

IPC: C25D5/02 ,  C25D3/38 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种能制备多种纳米线结构的表面制备方法，其属于表面处理技术领域。该方法利用模板辅助的电镀方法，通过改变模板孔间距、孔径和电镀时长，能形成直立型、团聚型、圆坑型等多种结构形貌，且能改变直立型和团聚型的结构高度和夹角。纳米线高4-50µm，纳米线中心距60-500nm，纳米线直径5-400nm。该种制备方法所制得的表面形貌可控、结构形式多样化且可跨尺度，直立型和团聚型能被用于冷凝、圆坑型能被用于沸腾等相变传热领域。

公开(公告)号：CN110387565A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910711900.X

申请日：2019-08-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 马学虎 ,  杨思艳 ,  陶沿宪 ,  杜宾港

IPC: C25D5/02 ,  C25D3/38 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 一种能制备多种纳米线结构的表面制备方法，其属于表面处理技术领域。该方法利用模板辅助的电镀方法，通过改变模板孔间距、孔径和电镀时长，能形成直立型、团聚型、圆坑型等多种结构形貌，且能改变直立型和团聚型的结构高度和夹角。纳米线高4-50µm，纳米线中心距60-500nm，纳米线直径5-400nm。该种制备方法所制得的表面形貌可控、结构形式多样化且可跨尺度，直立型和团聚型能被用于冷凝、圆坑型能被用于沸腾等相变传热领域。