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发明公开
监测理想二极管审中-实审

公开(公告)号：CN115885475A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180040081.6

申请日：2021-06-02

申请人： 大陆汽车科技有限公司

发明人： S·贝纳德 , T·迪茨

IPC分类号： H03K17/18 , G01R31/50 , H03K17/30

摘要： 本发明涉及一种用于监测具有MOSFET(7)的理想二极管(6)的方法，每个MOSFET具有漏极电极(11)、源极电极(9)和栅极电极(10)，其中，以使得该理想二极管(6)以源极‑漏极电压的第一目标值(15)能够在截止状态与导通状态之间切换的方式控制该理想二极管(6)的MOSFET(7)的源极‑栅极电压。为了能够检测到所有可能的错误状态，测量源极‑漏极电压和源极‑栅极电压并执行检查以确定在理想二极管(6)的导通状态下源极‑漏极电压是否在预设的误差限制内达到第一目标值(15)，并且执行测试模式，其中，为源极‑漏极电压设置小于第一目标值(15)的第二目标值，并且执行检查以确定在执行测试模式时源极‑栅极电压是否达到上限阈值，并且如果未达到第一目标值(15)和/或上限阈值，则输出错误信号。