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公开(公告)号：CN118541817A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280072076.8
申请日：2022-08-29
申请人： 天津三安光电有限公司
IPC分类号： H01L33/44 , H01L25/075 , H01L33/22
摘要： 本发明公开微发光二极管，微发光元件及其制备方法和显示器，微发光元件包括基板，至少一个微发光二极管，设置在所述基板上；所述微发光二极管包括：半导体外延叠层，包括顺序排列的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面靠近所述第一类型半导体层的一侧；所述第二表面靠近所述第二类型半导体层的一侧；所述第一表面靠近所述基板；胶膜层，位于所述基板和所述半导体外延叠层的第一表面之间；其特征在于：所述胶膜层和所述半导体外延叠层的第一表面之间含有蚀刻保护层。本发明可减少激光剥离微发光二极管后的残胶去除过程中对半导体外延叠层的损伤，提升微发光元件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114287065A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202180004916.2
申请日：2021-08-20
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开微发光二极管及制备方法和显示面板，所述微发光二极管包括半导体外延叠层，包含第一类型半导体层、第二类型半导体层和两者之间的有源层；第一电极和第二电极，分别与所述第一类型半导体层和第二类型半导体层形成电连接；其特征在于：所述第二类型半导体层包括n型磷化镓窗口层，所述n型磷化镓窗口层起到电流扩展作用。本发明可解决微发光二极管在小电流密度下发光效率低的问题，提升微发光二极管在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN115148869A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210852154.8
申请日：2022-07-20
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；所述有源层包括n个周期的量子阱结构，每个周期的量子阱结构包括依次沉积的阱层和势垒层，所述势垒层的带隙大于阱层的带隙；其特征在于：靠近第一表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙小于靠近第二表面一侧至少一个周期的势垒层的带隙；靠近第一表面一侧至少一个周期的阱层的厚度大于靠近第二表面一侧至少一个周期的阱层的厚度。本发明可提升载流子在量子阱结构中的均匀分布，从而提升发光二极管的发光亮度和发光效率，同时可提升发光二极管的稳定性及抗老化性能。
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公开(公告)号：CN114784156A
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210485205.8
申请日：2022-05-06
申请人： 天津三安光电有限公司
摘要： 本发明公开发光二极管和发光装置，所述发光二极管包括半导体外延叠层，具有相对的第一表面和第二表面，自第一表面至第二表面方向包含依次堆叠的第一电流扩展层、第一覆盖层、有源层、第二覆盖层和第二电流扩展层；其特征在于：所述第一覆盖层包含由第一子层和第二子层交替堆叠形成的超晶格结构；所述第一子层由组合式Alx1Ga1‑x1InP材料组成；第二子层由Alx2Ga1‑x2InP材料组成，其中0＜x1＜x2≤1。本发明第一覆盖层和或第二覆盖层采用超晶格结构，可提升半导体外延叠层的晶体质量和发光二极管的电流扩展的均匀性，从而提升发光二极管的发光效率和发光亮度。
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