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公开(公告)号：CN103351027A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310276103.6
申请日：2013-07-02
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种一维五氧化二钒纳米结构的制备方法，利用聚环氧乙烷-聚环氧丙烷-聚环氧乙烷三嵌段共聚物（P123）做模板导向剂，空气退火制备五氧化二钒纳米线和纳米棒。本发明克服了现有技术普遍存在制备工艺复杂，工艺参数不宜控制、制备周期较长、以及与微电子工艺不兼容的缺陷；通过控制涂覆工艺、退火温度和退火时间来控制纳米线和纳米棒的形貌、疏密等特性；广泛应用到光电、生物化学传感器等领域。
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公开(公告)号：CN117830986A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410019086.6
申请日：2024-01-05
申请人： 天津大学
IPC分类号： G06V20/56 , G06V10/26 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06V10/82
摘要： 本发明公开一种自动驾驶视觉联合感知方法、装置及介质，对于给定交通场景图像输入，获得不同层次骨干特征表示；将多层级骨干特征进行初步聚合，得到粗糙的多尺度特征表示；采用动态卷积自适应得到各层级特征加权系数，根据所得权重对不同尺度级别特征加权求和得到最终编码表示；将该编码表示作为目标检测、可行驶区域分割与车道线检测解码预测网络的共享特征输入；在目标检测解码预测网络部分，在空间维度上对目标检测中分类与定位子任务梯度流进行分离编码，将目标检测预测网络解耦为分类与定位两任务分支，根据共享特征输入分别生成与目标类别强相关的高级语义特征和与目标边界相关的高分辨率密集编码特征，减少分类与定位任务间任务冲突。
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公开(公告)号：CN103267779B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310166812.9
申请日：2013-05-08
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种基于五氧化二钒多级纳米网络结构乙醇气体传感器元件的制备方法，以种子层诱导生长途径实现传感器基底表面多级氧化钒纳米网络结构的直接原位组装，形成具有双工作温度特性的高性能氧化钒基乙醇气体传感器元件的方法，避免了气敏材料的二次转移工艺过程；在基片上原位形成的多级纳米结构呈现连续、多孔、疏松状微结构特征，具有明显高的比表面积；气敏薄膜与电极之间形成了可靠的电学接触。利用本发明方法制备的传感器元件对乙醇气体具有在室温和250℃下的双工作温度和双重响应特性，且具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN103852496B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410082909.6
申请日：2014-03-07
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于准定向氧化钨纳米线的气敏传感器元件的制备方法，通过在传感器基底上依次镀覆叉指电极、沉积金属钨薄膜层，进而在管式真空炉再结晶辅以后退火处理得到了具有良好形貌的准定向氧化钨纳米线。纳米线从电极表面的金属钨薄膜层向上再结晶生长，自组装形成了彼此交叉的准定向氧化钨纳米线敏感膜层。基于本发明方法的准定向氧化钨纳米线传感器元件对NO2具有高的灵敏度、好的选择性和稳定性。良好的气敏性能归因于准定向纳米线气敏元件的敏感膜层的特殊结构特性，同时显示了其在监测毒性NO2领域的巨大应用潜力。
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公开(公告)号：CN103267779A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310166812.9
申请日：2013-05-08
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种基于五氧化二钒多级纳米网络结构乙醇气体传感器元件的制备方法，以种子层诱导生长途径实现传感器基底表面多级氧化钒纳米网络结构的直接原位组装，形成具有双工作温度特性的高性能氧化钒基乙醇气体传感器元件的方法，避免了气敏材料的二次转移工艺过程；在基片上原位形成的多级纳米结构呈现连续、多孔、疏松状微结构特征，具有明显高的比表面积；气敏薄膜与电极之间形成了可靠的电学接触。利用本发明方法制备的传感器元件对乙醇气体具有在室温和250℃下的双工作温度和双重响应特性，且具有设备简单、操作方便、工艺参数易于控制、成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN103864460A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410083125.5
申请日：2014-03-07
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种有序氧化钨纳米线阵列结构的制备方法，以种子层诱导生长途径实现基底表面多级氧化钨纳米结构的直接原位组装。在基底上预镀钨薄膜源材料层，进而转移至管式炉再结晶辅以后退火处理得到了具有良好形貌的氧化钨纳米线。本发明具有实验方法简单、实验花费小、实验条件灵活易于控制的特点。在不使用催化剂低温下在单晶硅、多孔硅、氧化铝基底上生长比表面积大、准定向、密度大的氧化钨纳米线阵列。本发明是用来制作气敏传感器、电致变色薄膜、电子场发射器件、光催化电解水电极的理想材料。
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公开(公告)号：CN103852496A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410082909.6
申请日：2014-03-07
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/12
摘要： 本发明公开了一种基于准定向氧化钨纳米线的气敏传感器元件的制备方法，通过在传感器基底上依次镀覆叉指电极、沉积金属钨薄膜层，进而在管式真空炉再结晶辅以后退火处理得到了具有良好形貌的准定向氧化钨纳米线。纳米线从电极表面的金属钨薄膜层向上再结晶生长，自组装形成了彼此交叉的准定向氧化钨纳米线敏感膜层。基于本发明方法的准定向氧化钨纳米线传感器元件对NO2具有高的灵敏度、好的选择性和稳定性。良好的气敏性能归因于准定向纳米线气敏元件的敏感膜层的特殊结构特性，同时显示了其在监测毒性NO2领域的巨大应用潜力。
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