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公开(公告)号：CN106187318A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610557204.4
申请日：2016-07-15
申请人： 天津大学
CPC分类号： C04B41/85 , B82Y40/00 , C04B41/5072 , G01N27/00 , C04B41/4529 , C04B41/4517
摘要： 本发明公开了一种自由且非平面生长的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输沉积法制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备陶瓷基二氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所沉积的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。结果表明，本发明所制备的陶瓷基二氧化钒纳米棒结构将在降低甲烷气敏传感器工作温度，提高甲烷气敏传感器灵敏度方面提供很大的研究空间。
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公开(公告)号：CN107941858A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711020657.4
申请日：2017-10-27
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种基于VO2@ZnO的丙酮气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：VO2纳米棒的制备、ZnO纳米种子表面吸附的VO2纳米棒的制备、表面壳层ZnO纳米棒的生长、涂片。本发明中所运用的制备工艺要求低，设备简单、易操作，制作工艺成本低，制备的步骤相对独立，适合用于大规模的工业生产。本发明方法制备的复合结构形貌较均一，具有较大的比表面积，而且在两种材料接触界面形成异质结结构。该VO2@ZnO复合结构气体传感器在室温下对100ppm的丙酮气体有明显的响应，能够实现在室温下对丙酮气体的有效探测，且响应时间短。本发明所制备的纳米结构在低功耗气敏传感器方向具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN105388191A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510800104.5
申请日：2015-11-19
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温CH4传感器的制备方法，包括陶瓷基片的清洗、称量V2O5粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤，本发明提供了一种可低成本制备陶瓷基氧化钒纳米棒的方法，单一气相传输法操作较为简单，所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的陶瓷基氧化钒纳米棒具有较大比表面积和气体扩散通道。结果表明，陶瓷基氧化钒纳米棒在室温下检测低浓度的CH4气体，具有灵敏度较高、响应恢复时间短的优点。同时，该气敏元件体积小，使用方便，具有重要的实践和研究意义。
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公开(公告)号：CN107764872A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710875896.1
申请日：2017-09-25
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/127
摘要： 本发明涉及一种金修饰二氧化钒纳米线的二氧化氮气体传感器制备方法，该方法步骤主要包括：未抛光石英片的清洗；生长二氧化钒纳米线；金颗粒修饰以及铂电极制备：将金颗粒修饰二氧化钒纳米线置于JCP-200高真空磁控溅射镀膜机中，用模板法制备铂电极。本发明克服以往金属氧化物半导体气敏元件工作温度高的缺点，通过一维纳米结构，结合金属修饰对器件的改性，在发展低工作温度的NO2传感器方面具有非常重要的研究价值与应用前景。
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公开(公告)号：CN105486723A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510807930.2
申请日：2015-11-19
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/04
CPC分类号： G01N27/04
摘要： 本发明公开了一种陶瓷基氧化钒纳米棒结构室温NO2传感器的制备方法，包括陶瓷基片的清洗、称量V2O5粉末、单一气相传输法制备陶瓷基氧化钒纳米棒、制备陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件的步骤，本发明中所用的陶瓷基底表面粗糙，且成本低，易于大面积制备氧化钒纳米棒。陶瓷基氧化钒纳米棒气敏传感器元件，结构简单，制备成本低省时且工序简便，可实现室温工作。进而制作出一种可在室温条件下检测NO2气体且具有高灵敏度、快速响应恢复时间、可重复测试的气敏传感器元件。
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公开(公告)号：CN107324386A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710514609.4
申请日：2017-06-29
申请人： 天津大学
CPC分类号： C01G31/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G9/02 , C01P2004/03 , C01P2004/45 , C01P2004/61 , C01P2004/62 , C01P2004/64 , C01P2004/84 , G01N33/0009
摘要： 本发明公开了一种树枝状VO2@ZnO核壳复合结构的制备方法，首先水热法制备VO2纳米棒；然后制备ZnO种子液；制备ZnO纳米种子表面吸附的VO2纳米棒；最后表面壳层ZnO纳米棒的生长。本发明中所运用的制备工艺要求低，设备简单、易操作，制作工艺成本低，制备的步骤相对独立，适合用于大规模的工业生产。制备的复合结构各成分结晶良好，形貌较均一，比表面积较大，而且在两种材料接触界面形成异质结结构。该异质结与独特的树枝状形貌结合的结构在降低传感器工作温度、提高传感器的灵敏度与响应速度方面将会有很大的研究空间。
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公开(公告)号：CN106248743A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610555929.X
申请日：2016-07-15
申请人： 天津大学
IPC分类号： G01N27/12
CPC分类号： G01N27/127
摘要： 本发明公开了一种掺金二氧化钒纳米片结构室温CH4气敏传感器的制备方法，包括以下步骤：陶瓷基片的清洗；称量V2O5粉末；单一气相传输法制备二氧化钒纳米片；在二氧化钒纳米片表面掺杂金；以及制备掺金二氧化钒纳米片气敏传感器元件的步骤。本发明提供了一种操作简便，可低成本制备掺金二氧化钒纳米片的方法，单一气相传输法所需控制的工艺条件少，且对环境无污染。并且，所制备的掺金二氧化钒纳米片具有较大比表面积和气体扩散通道，更有利于气体的吸附和扩散。本发明所制备的掺金二氧化钒纳米片结构气敏传感器在室温下检测低浓度的CH4气体，具有灵敏度较高、响应恢复时间短的优点。掺金二氧化钒复合材料在降低气敏传感器的温度，提高气敏传感器灵敏度方面有很大的研究空间。
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