公开(公告)号：CN113033041A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110250219.7

申请日：2021-03-08

申请人： 天津大学

发明人： 高宇 ,  许旭日 ,  李敬 ,  宋铮 ,  叶滨源

IPC分类号： G06F30/23 ,  G06F113/16 ,  G06F113/26 ,  G06F119/02

摘要： 本发明涉及一种基于陷阱能级聚乙烯纳米复合材料直流击穿场强的预测方法，该方法首先通过等温表面电位衰减法测得陷阱能级参数，并基于此参数精确计算得到材料的本征击穿场强；并采用双极性电荷输运模型模拟计算在一定升压速率条件下材料内部的电荷积聚和电场分布情况；最后根据材料内部最大电场值大于本征击穿场强这一判据，获得与升压时间对应的材料直流击穿场强，该方法提供了基于非破坏性测量参数预测聚乙烯纳米复合材料直流击穿场强的新途径。本方法所需硬件系统简单、易于搭建，算法上只需测取表面电位衰减曲线和材料厚度，即可预测其直流击穿强度，十分便捷。

公开(公告)号：CN113033041B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202110250219.7

申请日：2021-03-08

申请人： 天津大学

发明人： 高宇 ,  许旭日 ,  李敬 ,  宋铮 ,  叶滨源

IPC分类号： G06F30/23 ,  G06F113/16 ,  G06F113/26 ,  G06F119/02

摘要： 本发明涉及一种基于陷阱能级聚乙烯纳米复合材料直流击穿场强的预测方法，该方法首先通过等温表面电位衰减法测得陷阱能级参数，并基于此参数精确计算得到材料的本征击穿场强；并采用双极性电荷输运模型模拟计算在一定升压速率条件下材料内部的电荷积聚和电场分布情况；最后根据材料内部最大电场值大于本征击穿场强这一判据，获得与升压时间对应的材料直流击穿场强，该方法提供了基于非破坏性测量参数预测聚乙烯纳米复合材料直流击穿场强的新途径。本方法所需硬件系统简单、易于搭建，算法上只需测取表面电位衰减曲线和材料厚度，即可预测其直流击穿强度，十分便捷。

公开(公告)号：CN113030662B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN202110250844.1

申请日：2021-03-08

申请人： 天津大学

发明人： 高宇 ,  彭金晶 ,  李敬 ,  宋铮 ,  许旭日

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明涉及一种多传感器聚合物绝缘材料局部放电侵蚀耐受性测量装置，采用HFCT、光电倍增管和臭氧传感器三种传感器，从电、光、气体三个方面来综合全面的评估局部放电耐受性能，能够更为准确的展现局部放电侵蚀过程中材料的变化特征。本发明一种多传感器聚合物绝缘材料局部放电侵蚀耐受性测量方法，操作方便，所用提出的特征参数K可直接反映材料的局部放电耐受性强弱。本发明设计科学合理，测量装置结构简单、易于操作、价格便宜、普适性强。

公开(公告)号：CN113030662A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202110250844.1

申请日：2021-03-08

申请人： 天津大学

发明人： 高宇 ,  彭金晶 ,  李敬 ,  宋铮 ,  许旭日

IPC分类号： G01R31/12

摘要： 本发明涉及一种多传感器聚合物绝缘材料局部放电侵蚀耐受性测量装置，采用HFCT、光电倍增管和臭氧传感器三种传感器，从电、光、气体三个方面来综合全面的评估局部放电耐受性能，能够更为准确的展现局部放电侵蚀过程中材料的变化特征。本发明一种多传感器聚合物绝缘材料局部放电侵蚀耐受性测量方法，操作方便，所用提出的特征参数K可直接反映材料的局部放电耐受性强弱。本发明设计科学合理，测量装置结构简单、易于操作、价格便宜、普适性强。