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公开(公告)号:CN112678779A
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN202110142580.8
申请日:2021-02-02
申请人: 天津大学
IPC分类号: C01B15/08
摘要: 本发明提供了一种过硫酸铵晶体的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将过硫酸铵和硫酸铵的混合料液在带有导流筒的推进式搅拌器的搅拌作用下,在25‑35℃加入过硫酸铵晶种进行引晶,其次缓慢升温0.5‑1℃,而后以3‑18℃/h的降温速率降温至‑3~‑10℃进行降温结晶,得到过硫酸铵晶体;所述过硫酸铵晶体的平均粒径大于800μm;通过使用带有导流筒的推进式搅拌器,并进行了微小幅度0.5‑1℃的升温过程,且拓展降温范围,通过多因素的协同配合作用,能够更好的控制晶体的生长和结晶过程,便于晶体纯度、均一度和平均粒度的增加,并能提高过硫酸铵晶体的抗结块性能,大大拓展了产品的应用范围。
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公开(公告)号:CN112678779B
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202110142580.8
申请日:2021-02-02
申请人: 天津大学
IPC分类号: C01B15/08
摘要: 本发明提供了一种过硫酸铵晶体的制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将过硫酸铵和硫酸铵的混合料液在带有导流筒的推进式搅拌器的搅拌作用下,在25‑35℃加入过硫酸铵晶种进行引晶,其次缓慢升温0.5‑1℃,而后以3‑18℃/h的降温速率降温至‑3~‑10℃进行降温结晶,得到过硫酸铵晶体;所述过硫酸铵晶体的平均粒径大于800μm;通过使用带有导流筒的推进式搅拌器,并进行了微小幅度0.5‑1℃的升温过程,且拓展降温范围,通过多因素的协同配合作用,能够更好的控制晶体的生长和结晶过程,便于晶体纯度、均一度和平均粒度的增加,并能提高过硫酸铵晶体的抗结块性能,大大拓展了产品的应用范围。
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