公开(公告)号：CN113904642A

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN202110953887.6

申请日：2021-08-19

申请人： 天津大学 ,  中兴通讯股份有限公司

发明人： 孟凡易 ,  徐振华 ,  马凯学 ,  傅海鹏 ,  陆敏 ,  刘新阳

IPC分类号： H03G3/30 ,  H03F3/21 ,  G06F30/367

摘要： 本发明公开了一种宽带低RMS增益误差可变增益放大器，通过控制可变增益级的偏置状态实现增益控制，增益控制方式简单，同时利用BiCMOS工艺中双极型晶体管本身的电流变化特性构造一个指数变化的可变电流源，实现增益变化精度的控制，同时结合非等比例的MOS电流镜阵列，降低增益变化过程中的RMS误差。

公开(公告)号：CN113904642B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202110953887.6

申请日：2021-08-19

申请人： 天津大学 ,  中兴通讯股份有限公司

发明人： 孟凡易 ,  徐振华 ,  马凯学 ,  傅海鹏 ,  陆敏 ,  刘新阳

IPC分类号： H03G3/30 ,  H03F3/21 ,  G06F30/367

摘要： 本发明公开了一种宽带低RMS增益误差可变增益放大器，通过控制可变增益级的偏置状态实现增益控制，增益控制方式简单，同时利用BiCMOS工艺中双极型晶体管本身的电流变化特性构造一个指数变化的可变电流源，实现增益变化精度的控制，同时结合非等比例的MOS电流镜阵列，降低增益变化过程中的RMS误差。