公开(公告)号：CN111933805A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN202010914055.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 天津理工大学

Inventor： 吴晓明 ,  曲维欣 ,  马锋 ,  王鹿振 ,  崔明宽 ,  印寿根

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

Abstract: 本发明涉及一种亚酞菁衍生物的异质结型绿光探测器及其制备方法。所述的亚酞菁衍生物分为一种P型亚酞菁和三种N型亚酞菁，且均对绿光敏感，所述光电探测器中的异质结包含相邻的P型亚酞菁薄膜和N型亚酞菁薄膜，位于所述P型亚酞菁薄膜的一侧依次设置空穴传输层PEDOT：PSS和透明导电衬底ITO玻璃，以及所述N型亚酞菁薄膜一侧依次设置电子传输层C60、电子缓冲层LiF和金属背电极Ag。本发明所述的亚酞菁衍生物，其分子内的跃迁偶极距较亚酞菁更大。基于P/N异质结型的光敏层，有助于空穴-电子对在内建电场的作用下实现高效地解离并加速载流子的输运，进而提高了光电探测器的光电流、光响应度和光探测率。

公开(公告)号：CN111933805B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202010914055.9

申请日：2020-09-04

Applicant: 天津理工大学

Inventor： 吴晓明 ,  曲维欣 ,  马锋 ,  王鹿振 ,  崔明宽 ,  印寿根

IPC: H10K30/60 ,  H10K30/20 ,  H10K85/60 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明涉及一种亚酞菁衍生物的异质结型绿光探测器及其制备方法。所述的亚酞菁衍生物分为一种P型亚酞菁和三种N型亚酞菁，且均对绿光敏感，所述光电探测器中的异质结包含相邻的P型亚酞菁薄膜和N型亚酞菁薄膜，位于所述P型亚酞菁薄膜的一侧依次设置空穴传输层PEDOT：PSS和透明导电衬底ITO玻璃，以及所述N型亚酞菁薄膜一侧依次设置电子传输层C60、电子缓冲层LiF和金属背电极Ag。本发明所述的亚酞菁衍生物，其分子内的跃迁偶极距较亚酞菁更大。基于P/N异质结型的光敏层，有助于空穴‑电子对在内建电场的作用下实现高效地解离并加速载流子的输运，进而提高了光电探测器的光电流、光响应度和光探测率。