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发明公开
一种高导磁率低损耗软磁铁氧体材料及其制备方法无效

公开(公告)号：CN105110782A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510446265.9

申请日：2015-07-24

申请人： 天长市中德电子有限公司

发明人： 蔡云龙 , 徐臣玲 , 杨安贵 , 闵加云 , 刘晶

IPC分类号： C04B35/26

摘要： 本发明公开了一种高导磁率低损耗软磁铁氧体材料，其原料包括主料和辅料，其中主料按摩尔百分比包括：硝酸铁52.5～53.5mol％，硝酸锰34.0～35.5mol％，硝酸锌12～13.5mol％；以主料的总重量为基准，辅料包括：氧化铌300～700ppm，氧化钕100～260ppm，氧化钒200～300ppm，氧化铜200～300ppm，氧化钙250～800ppm，氧化钡20～80ppm，二氧化钛20～100ppm，二氧化硅10～80ppm，粘接剂2000～2500ppm，吸附剂8～9×106ppm。本发明还公开了一种高导磁率低损耗软磁铁氧体材料的制备方法。