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公开(公告)号：CN106582771A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611257560.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02W10/37 , B01J27/24 , B01J35/004 , C02F1/30 , C02F2101/38 , C02F2305/10
Abstract: 本发明属于涉及光催化剂的制备领域，具体为一种宽光谱响应的磁性可见光催化剂的制备方法。解决了目前纯的g‑C3N4光催化剂存在催化活性不高、光谱相应范围较窄且易引入二次污染的问题。本发明步骤如下：（1）二维层状结构g‑C3N4纳米片的制备：将g‑ C3N4反应前驱体在500℃下保温2h，研磨后在500~580℃条件下保温2~4h，得到二维层状结构g‑C3N4纳米片；（2）制备Fe3O4纳米晶；（3）制备g‑C3N4/CQDs@Fe3O4三元复合磁性光催化剂。本发明所提出的三元复合磁性纳米光催化剂可实现纳米催化剂对有机污染物的高效降解及其重复回收。碳量子点的上转换荧光性质，可以有效地将长波长光转换成短波长光，实现复合物催化剂的宽光谱响应。
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公开(公告)号：CN109126856A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811211860.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 太原理工大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/08 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于光催化剂的制备领域，具体为一种具有紧密连接的可见光催化剂的制备方法，解决了目前纯g‑C3N4光催化剂存在催化活性低、光谱响应范围较窄及CdS光腐蚀的技术问题。本发明包括如下步骤：（1）g‑C3N4材料采用三聚氰胺作为前驱体的高温热聚合法合成；（2）中空微球CdS采用硫脲作为硫源的水热法合成；（3）CdS/g‑C3N4复合光催化剂采用低温煅烧的方法合成。本发明所提出的CdS/g‑C3N4复合光催化剂可实现对有机污染物的高效降解，同时具有良好的沉降性能，有利于复合光催化剂的分离回收。由于两者之间具有紧密的连接，可加速复合光催化剂连接界面处光生电荷的分离和转移，增强其光催化活性，同时提高其循环稳定性。
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公开(公告)号：CN106582771B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201611257560.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 太原理工大学
CPC classification number: Y02W10/37
Abstract: 本发明属于涉及光催化剂的制备领域，具体为一种宽光谱响应的磁性可见光催化剂的制备方法。解决了目前纯的g‑C3N4光催化剂存在催化活性不高、光谱相应范围较窄且易引入二次污染的问题。本发明步骤如下：（1）二维层状结构g‑C3N4纳米片的制备：将g‑C3N4反应前驱体在500℃下保温2h，研磨后在500~580℃条件下保温2~4h，得到二维层状结构g‑C3N4纳米片；（2）制备Fe3O4纳米晶；（3）制备g‑C3N4/CQDs@Fe3O4三元复合磁性光催化剂。本发明所提出的三元复合磁性纳米光催化剂可实现纳米催化剂对有机污染物的高效降解及其重复回收。碳量子点的上转换荧光性质，可以有效地将长波长光转换成短波长光，实现复合物催化剂的宽光谱响应。
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公开(公告)号：CN109126856B
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201811211860.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 太原理工大学
IPC: B01J27/24 , B01J35/08 , B01J37/10 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明属于光催化剂的制备领域，具体为一种具有紧密连接的可见光催化剂的制备方法，解决了目前纯g‑C3N4光催化剂存在催化活性低、光谱响应范围较窄及CdS光腐蚀的技术问题。本发明包括如下步骤：（1）g‑C3N4材料采用三聚氰胺作为前驱体的高温热聚合法合成；（2）中空微球CdS采用硫脲作为硫源的水热法合成；（3）CdS/g‑C3N4复合光催化剂采用低温煅烧的方法合成。本发明所提出的CdS/g‑C3N4复合光催化剂可实现对有机污染物的高效降解，同时具有良好的沉降性能，有利于复合光催化剂的分离回收。由于两者之间具有紧密的连接，可加速复合光催化剂连接界面处光生电荷的分离和转移，增强其光催化活性，同时提高其循环稳定性。
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