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1.

发明授权
一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法有权

公开(公告)号：CN109553411B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN201910095081.0

申请日：2019-01-31

申请人： 太原理工大学

发明人： 张建花 , 吝伶艳 , 刘玉倩 , 李卓晓 , 郑杰诚 , 宋建成 , 李媛媛

IPC分类号： H01B3/12 , C04B35/462 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/622

摘要： 本发明公开一种高击穿场强钛酸铜锶钙(CSCTO)介电陶瓷材料及其制备方法。本陶瓷材料的组成为Ca1‑xSrxCu3Ti4O12(0

2.

发明公开
一种高击穿场强钛酸铜锶钙介电陶瓷材料及其制备方法有权

公开(公告)号：CN109553411A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201910095081.0

申请日：2019-01-31

申请人： 太原理工大学

发明人： 张建花 , 吝伶艳 , 刘玉倩 , 李卓晓 , 郑杰诚 , 宋建成 , 李媛媛

IPC分类号： C04B35/462 , C04B35/624 , C04B35/626 , C04B35/622

摘要： 本发明公开一种高击穿场强钛酸铜锶钙(CSCTO)介电陶瓷材料及其制备方法。本陶瓷材料的组成为Ca1-xSrxCu3Ti4O12(0