公开(公告)号：CN113013278B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202110270328.5

申请日：2021-03-12

申请人： 太原理工大学

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  严贤雍 ,  李国辉 ,  田媛

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种碳化硅基紫外‑可见‑近红外全谱响应光电探测器及其制备方法。光电探测器包含碳化硅基底，以及位于其上方的金属对电极和表面等离激元纳米结构，其中碳化硅基底与金属对电极构成了电极共面形式的金属‑半导体‑金属型光电探测器。紫外光入射时，碳化硅中直接产生自由载流子被外电路收集产生电信号，可见光入射时，表面等离激元纳米结构中产生的热载流子隧穿进入碳化硅半导体成为自由载流子从而产生电信号。本发明提供的碳化硅基光电探测器克服了现有碳化硅光电探测器只能响应紫外光的限制，实现了同时对紫外光、可见光以及近红外光的全谱探测。

公开(公告)号：CN113013278A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110270328.5

申请日：2021-03-12

申请人： 太原理工大学

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  严贤雍 ,  李国辉 ,  田媛

IPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种碳化硅基紫外‑可见‑近红外全谱响应光电探测器及其制备方法。光电探测器包含碳化硅基底，以及位于其上方的金属对电极和表面等离激元纳米结构，其中碳化硅基底与金属对电极构成了电极共面形式的金属‑半导体‑金属型光电探测器。紫外光入射时，碳化硅中直接产生自由载流子被外电路收集产生电信号，可见光入射时，表面等离激元纳米结构中产生的热载流子隧穿进入碳化硅半导体成为自由载流子从而产生电信号。本发明提供的碳化硅基光电探测器克服了现有碳化硅光电探测器只能响应紫外光的限制，实现了同时对紫外光、可见光以及近红外光的全谱探测。

公开(公告)号：CN115000197B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202210686413.4

申请日：2022-06-17

申请人： 太原理工大学

发明人： 杨苗苗 ,  樊亚萍 ,  崔艳霞 ,  潘登 ,  李国辉 ,  冀婷

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种极高增益4H‑SiC基宽谱光电晶体管，包括4H‑SiC基底，4H‑SiC基底的硅面上设置第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极，第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极之间设置有间隙；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极为随机分布Ag纳米颗粒形成；4H‑SiC基底的碳面上设置有氧化铝层，氧化铝层上设置有栅极Ag层；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极分别作为源极和漏极，栅极Ag层作为栅极。本发明探测性能优越，并且制备工艺非常简单、成本较为低廉。

公开(公告)号：CN114944439A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210677947.0

申请日：2022-06-16

申请人： 太原理工大学 ,  山西浙大新材料与化工研究院

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  潘登 ,  李国辉 ,  李梦辉 ,  梁强兵 ,  田媛 ,  许并社

IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上的设置有半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有的不透光的栅电极。本发明制备方法简单，成本低廉，最终获得的紫外光探测器暗电流极低，且具有亮点流增益，响应度高的优点。

公开(公告)号：CN115000197A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210686413.4

申请日：2022-06-17

申请人： 太原理工大学

发明人： 杨苗苗 ,  樊亚萍 ,  崔艳霞 ,  潘登 ,  李国辉 ,  冀婷

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，公开了一种极高增益4H‑SiC基宽谱光电晶体管，包括4H‑SiC基底，4H‑SiC基底的硅面上设置第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极，第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极之间设置有间隙；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极为随机分布Ag纳米颗粒形成；4H‑SiC基底的碳面上设置有氧化铝层，氧化铝层上设置有栅极Ag层；第一Ag纳米颗粒电极和第二Ag纳米颗粒电极分别作为源极和漏极，栅极Ag层作为栅极。本发明探测性能优越，并且制备工艺非常简单、成本较为低廉。

公开(公告)号：CN114937710B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202210681937.4

申请日：2022-06-16

申请人： 太原理工大学

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  李国辉 ,  王文艳

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上设置有Au纳米颗粒层，所述Au纳米颗粒层为多个Au纳米颗粒呈岛状分布形成，所述Au纳米颗粒层上设置有分离的半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有不透光的栅电极。本发明可以实现具有高增益性能的紫外‑可见‑近红外宽谱光信号探测。

公开(公告)号：CN114944439B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202210677947.0

申请日：2022-06-16

申请人： 太原理工大学 ,  山西浙大新材料与化工研究院

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  潘登 ,  李国辉 ,  李梦辉 ,  梁强兵 ,  田媛 ,  许并社

IPC分类号： H01L31/112 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC紫外光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上的设置有半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有的不透光的栅电极。本发明制备方法简单，成本低廉，最终获得的紫外光探测器暗电流极低，且具有亮点流增益，响应度高的优点。

公开(公告)号：CN114937710A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210681937.4

申请日：2022-06-16

申请人： 太原理工大学

发明人： 崔艳霞 ,  樊亚萍 ,  李国辉 ,  王文艳

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/112 ,  H01L31/18

摘要： 本发明属于半导体光电探测器技术领域，具体涉及一种晶体管型4H‑SiC基宽谱表面等离激元光电探测器及其制备方法，包括4H‑SiC基底，所述4H‑SiC基底的硅面上设置有Au纳米颗粒层，所述Au纳米颗粒层为多个Au纳米颗粒呈岛状分布形成，所述Au纳米颗粒层上设置有分离的半透光的源电极和漏电极，所述4H‑SiC基底的碳面上设置有不透光的栅电极。本发明可以实现具有高增益性能的紫外‑可见‑近红外宽谱光信号探测。