公开(公告)号：CN109266894B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201811130809.0

申请日：2018-09-27

Applicant: 太原科技大学

Inventor： 郝玺 ,  郝维新 ,  张洁瑞 ,  耿桂宏 ,  李玉贵

IPC: C22C1/10 ,  C22C1/03 ,  C22C23/00 ,  C22C32/00

Abstract: 一种SiCP增强镁基复合材料的制备方法,属于镁基复合材料技术领域。其特征是按以下步骤进行：一、将氮化硼坩埚放置在高频感应炉的真空箱体内，氮化硼坩埚与钼电极相连，氮化硼坩埚内装有16mm×16mm×30mm的镁合金样品件，镁合金上表面放置表面镀有一层厚度为0.095μm薄铜、颗粒度为10μm的SiCp；二、用高频感应炉对真空环境下的样品进行加热至700℃，使样品件全部熔化；三、对金属熔体进行保温处理，保温时间为10min；四、待保温时间结束后，对保温后的金属熔体施加电脉冲，作用时间为10min。优点是工艺高效可靠，可以获得更均匀的组织，并可以对SiCP的颗粒度以及体积分数量进行调控，可实现工业化生产。