一种用于高真空密封闭罐体脱气的多工位加热炉及工作方法

    公开(公告)号:CN118517912A

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN202410627636.2

    申请日:2024-05-21

    Abstract: 本发明公开了一种用于高真空密封闭罐体脱气的多工位加热炉及工作方法,属于晶体、金属材料研发与生产技术领域,包括:炉体框架、加热炉、真空抽气机构、温控系统,所述炉体框架上方设有若干个炉口和上桁架;所述加热炉设置在炉口内;所述真空抽气机构包括罐体、脱气管、连接轴套,所述罐体设置在加热炉内,所述脱气管固定在上桁架上,下方连接罐体的脱气口,所述连接轴套设置在罐体与脱气管连接处,脱气管外部连接总管道,所述总管道外部连接抽真空机组;所述温控系统分别独立配置在加热炉中。本发明提高了工作效率、操作灵活性,减少电能的消耗和设备损耗,降低使用难度和劳动强度,简化了使用步骤。

    一种Tb3Al5O12磁光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111533445B

    公开(公告)日:2023-02-17

    申请号:CN202010393268.1

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明属于新材料领域,具体涉及Tb3Al5O12磁光材料及制备方法,包括Tb3Al5O12磁光玻璃和Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明的Tb3Al5O12磁光玻璃通过配料、混料、干燥与过筛、干压、烧结、熔制等步骤制备得到。在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上进一步进行热处理可制得Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明通过一套工艺流程既能制备Tb3Al5O12磁光玻璃又能制备Tb3Al5O12磁光陶瓷,制备效率高。本发明制得的Tb3Al5O12磁光玻璃在高温熔制阶段熔体不与容器接触,不引入杂质,制得的Tb3Al5O12磁光玻璃纯度高,品质好。本发明可以在不添加B2O3和SiO2等玻璃网络形成体的条件下避免Tb3Al5O12析晶,制得固定化学计量比的高纯度的高Tb含量的Tb3Al5O12磁光玻璃。本发明在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上通过精细的热处理工艺可以进一步制得常规方法不易制得的Tb3Al5O12磁光陶瓷。

    一种CT闪烁陶瓷面阵和CT探测器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117555011A

    公开(公告)日:2024-02-13

    申请号:CN202410037959.6

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明属于闪烁探测器技术领域,具体涉及一种CT闪烁陶瓷面阵和CT探测器。本发明提供的CT闪烁陶瓷面阵包括多个闪烁陶瓷块和将闪烁陶瓷块包覆在内的包封体;闪烁陶瓷块在平面上纵横排列形成面阵,闪烁陶瓷块在X射线激发下发出可见光;包封体将闪烁陶瓷块表面包覆并仅暴露一侧表面作为出光面;包封体由灌封胶固化形成,灌封胶包含环氧树脂、酸酐、固化催化剂、消泡剂、第一填料和第二填料。本发明提供的CT闪烁陶瓷面阵,具有优异的光输出性能和耐久性能,并且在经受大剂量辐照下光输出的衰减较小,从而保障CT设备长时间运作产生的图像信号强度稳定。在CT闪烁陶瓷面阵的基础上,本发明还进一步提供一种CT探测器。

    一种Tb3Al5O12磁光材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111533445A

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN202010393268.1

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明属于新材料领域,具体涉及Tb3Al5O12磁光材料及制备方法,包括Tb3Al5O12磁光玻璃和Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明的Tb3Al5O12磁光玻璃通过配料、混料、干燥与过筛、干压、烧结、熔制等步骤制备得到。在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上进一步进行热处理可制得Tb3Al5O12磁光陶瓷。本发明通过一套工艺流程既能制备Tb3Al5O12磁光玻璃又能制备Tb3Al5O12磁光陶瓷,制备效率高。本发明制得的Tb3Al5O12磁光玻璃在高温熔制阶段熔体不与容器接触,不引入杂质,制得的Tb3Al5O12磁光玻璃纯度高,品质好。本发明可以在不添加B2O3和SiO2等玻璃网络形成体的条件下避免Tb3Al5O12析晶,制得固定化学计量比的高纯度的高Tb含量的Tb3Al5O12磁光玻璃。本发明在制得的Tb3Al5O12磁光玻璃的基础上通过精细的热处理工艺可以进一步制得常规方法不易制得的Tb3Al5O12磁光陶瓷。

    一种CT闪烁陶瓷面阵和CT探测器

    公开(公告)号:CN117555011B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202410037959.6

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明属于闪烁探测器技术领域,具体涉及一种CT闪烁陶瓷面阵和CT探测器。本发明提供的CT闪烁陶瓷面阵包括多个闪烁陶瓷块和将闪烁陶瓷块包覆在内的包封体;闪烁陶瓷块在平面上纵横排列形成面阵,闪烁陶瓷块在X射线激发下发出可见光;包封体将闪烁陶瓷块表面包覆并仅暴露一侧表面作为出光面;包封体由灌封胶固化形成,灌封胶包含环氧树脂、酸酐、固化催化剂、消泡剂、第一填料和第二填料。本发明提供的CT闪烁陶瓷面阵,具有优异的光输出性能和耐久性能,并且在经受大剂量辐照下光输出的衰减较小,从而保障CT设备长时间运作产生的图像信号强度稳定。在CT闪烁陶瓷面阵的基础上,本发明还进一步提供一种CT探测器。

    一种用于制备含钆化合物的耐磨高纯稀土氧化钆陶瓷球及其制备和使用方法

    公开(公告)号:CN111606710A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010365872.3

    申请日:2020-04-30

    Abstract: 本发明属于新材料领域,更具体地说,涉及一种用于制备含钆化合物的耐磨高纯稀土氧化钆陶瓷球及其制备和使用方法。该氧化钆陶瓷球通过配料、制坯、冷等成型、一次滚圆、预烧、二次滚圆、二次烧结、筛选等步骤制备得到。本发明提供的氧化钆陶瓷球,纯度高、耐磨性好,能够用作制备含钆化合物的球磨介质。用本发明提供的氧化钆陶瓷球作为球磨介质制得的含钆化合物纯度高,光电性能突出。此外,本发明还提供了所述的用于制备含钆化合物的耐磨高纯稀土氧化钆陶瓷球的制备方法;该方法工艺简单,适用于批量生产,制备的氧化钆球尺寸可调,稳定性好,良品率高。

    一种GGAG荧光玻璃球及其制备方法

    公开(公告)号:CN111423128A

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN202010394059.9

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明属于新材料领域,更具体地说,涉及一种GGAG荧光玻璃球及其制备方法。所述的GGAG荧光玻璃球通过配料、混料、过筛、干压、熔炼、降温等步骤制备得到。本发明能够制备得到常规方法无法获得的稀土离子掺杂的GGAG玻璃;本发明提供的制备方法具有制备效率高、稳定性好、经济性好等特点;本发明提供的GGAG荧光玻璃球在悬浮状态制备得到,不引入杂质;采用激光加热,加热效率高且开关方便;本发明提供的GGAG荧光玻璃球,兼具GGAG陶瓷的性能优势和玻璃的低成本优势。

    一种CdWO4闪烁单晶切割工装

    公开(公告)号:CN214773132U

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202121729318.5

    申请日:2021-07-28

    Abstract: 本实用新型公开了一种CdWO4闪烁单晶切割工装,包括:工装基板、产品切割放置平台、产品切割靠桩和切割组件,所述产品切割放置平台设于工装基板的一侧,所述产品切割靠桩设于工装基板的一侧,并垂直设于产品切割放置平台的一端,所述切割组件设于工装基板上,并与产品切割放置平台平行设置,且所述切割组件与产品切割靠桩连接。本实用新型中所述的一种CdWO4闪烁单晶切割工装,其结构简单,设计合理,易于生产,对切割工装的结构进行了优化,通过切割组件、产品切割放置平台和产品切割靠桩相互配合,提高了其切割的稳定性,避免其出现偏移,提高其切割的质量,从而让其更好的满足生产的需要。

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