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公开(公告)号:CN103460527A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201080070812.3
申请日:2010-11-02
申请人: 奥尼奇普菲托尼克斯有限公司
CPC分类号: H01S5/1231 , H01S5/0208 , H01S5/0422 , H01S5/2018 , H01S5/2045 , H01S5/2081 , H01S5/22 , H01S5/2232
摘要: 本发明提供一种与MGVI设计和制造方法完全兼容的LCSEG-DFB激光器,用于多功能PIC内的单增长单片集成电路。其包括台面形式的激光器PIN结构,从上发射层顶面通过有源,假定为MQW、增益区向下蚀刻至下发射器顶面。下部电触头邻近台面设置,台面设在下发射层,上接触带设在台面顶部上的上发射层。从台面顶面、上接触带之间,穿过上发射层,向下蚀刻入SCH层,限定/蚀刻成了SEG。SCH结构提供了垂直约束,台面底部中的侧面提供了横向约束。导模通过垂直翼穿透SEG及与SEG消散消散场耦合实现与SEG的相互作用。