静电放电保护电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1571156A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN200410044553.3

    申请日:2004-05-13

    IPC分类号: H01L23/60 H02H9/00

    摘要: 本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P+渗杂区及一第一N+渗杂区,该第一P+渗杂区及该第一N+渗杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P+渗杂区及一第二N+渗杂区,该第二P+渗杂区及该第二N+渗杂区连接于电源供应电压VDD,该第三P型阱上设置有一第三N+渗杂区、一第三P+渗杂区、及一第四N+渗杂区,该第三N+渗杂区、该第三P+渗杂区及第四N+渗杂区用来输出入信号。

    对称化线性压控振荡器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100514840C

    公开(公告)日:2009-07-15

    申请号:CN200510077045.X

    申请日:2005-06-15

    IPC分类号: H03B1/04 H03B5/12

    摘要: 本发明是有关于一种具较佳频率稳定度及系统线性的压控振荡器系统。本发明的对称化压控振荡器系统包括一频率调谐电路,可接收一频率调谐信号;一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,包括至少一切换电路,可接收至少一频带调谐信号及至少一切换信号;一核心电路,连接该频率调谐电路及该频带调谐电路,可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出;其中在确认切换信号,同时调整频率调谐信号和频带调谐信号后,可使切换电路启动(调整)频带调谐电路,以配合频率调谐电路,决定预设的输出频率,该输出频率是取决于该核心电路,该频率调谐电路及该频带调谐电路的总电感及总电容。

    静电放电保护电路
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1317763C

    公开(公告)日:2007-05-23

    申请号:CN200410044551.4

    申请日:2004-05-13

    IPC分类号: H01L23/60 H02H9/00

    摘要: 本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P+渗杂区及一第一N+渗杂区,该第一P+渗杂区及该第一N+渗杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P+渗杂区及一第二N+渗杂区,该第二P+渗杂区及该第二N+渗杂区连接于电源供应电压VDD,该第三P型阱上设置有一第三N+渗杂区、一第三P+渗杂区、及一第四N+渗杂区,该第三N+渗杂区、该第三P+渗杂区及第四N+渗杂区用来输出入信号。

    对称化线性压控振荡器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1694348A

    公开(公告)日:2005-11-09

    申请号:CN200510077045.X

    申请日:2005-06-15

    IPC分类号: H03B1/04 H03B5/12

    摘要: 本发明是有关于一种具较佳频率稳定度及系统线性的压控振荡器系统。本发明的对称化压控振荡器系统包括一频率调谐电路,可接收一频率调谐信号;一频带调谐电路,和该频率调谐电路并连,包括至少一切换电路,可接收至少一频带调谐信号及至少一切换信号;一核心电路,连接该频率调谐电路及该频带调谐电路,可提供一第一输出与一和该第一输出互补的第二输出;其中在确认切换信号,同时调整频率调谐信号和频带调谐信号后,可使切换电路启动(调整)频带调谐电路,以配合频率调谐电路,决定预设的输出频率,该输出频率是取决于该核心电路,该频率调谐电路及该频带调谐电路的总电感及总电容。

    静电放电保护电路
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1571155A

    公开(公告)日:2005-01-26

    申请号:CN200410044551.4

    申请日:2004-05-13

    IPC分类号: H01L23/60 H02H9/00

    摘要: 本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P+渗杂区及一第一N+渗杂区,该第一P+渗杂区及该第一N+渗杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P+渗杂区及一第二N+渗杂区,该第二P+渗杂区及该第二N+渗杂区连接于电源供应电压VDD,该第三P型阱上设置有一第三N+渗杂区、一第三P+渗杂区、及一第四N+渗杂区,该第三N+渗杂区、该第三P+渗杂区及第四N+渗杂区用来输出入信号。

    静电放电保护电路
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100349291C

    公开(公告)日:2007-11-14

    申请号:CN200410044553.3

    申请日:2004-05-13

    IPC分类号: H01L23/60 H02H9/00

    摘要: 本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区,该第一P+掺杂区及该第一N+掺杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P+掺杂区及一第二N+掺杂区,该第二P+掺杂区及该第二N+掺杂区连接于电源供应电压VDD,该第三P型阱上设置有一第三N+掺杂区、一第三P+掺杂区、及一第四N+掺杂区,该第三N+掺杂区、该第三P+掺杂区及第四N+掺杂区用来输出入信号。

    静电放电保护电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100338770C

    公开(公告)日:2007-09-19

    申请号:CN200410044550.X

    申请日:2004-05-13

    IPC分类号: H01L23/60 H02H9/00

    摘要: 本发明提供一种静电放电保护电路,其包含一半导体衬底、三设置于该半导体衬底上的第一、第二及第三P型阱,该第一P型阱上设置有一第一P+掺杂区及一第一N+掺杂区,该第一P+掺杂区及该第一N+掺杂区接地,该第二P型阱上设置有一第二P+掺杂区及一第二N+掺杂区,该第二P+掺杂区及该第二N+掺杂区连接于电源供应电压VDD,该第三P型阱上设置有一第三N+掺杂区、一第三P+掺杂区、及一第四N+掺杂区,该第三N+掺杂区、该第三P+掺杂区及第四N+掺杂区用来输出入信号。