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公开(公告)号：CN109868387A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910216395.1
申请日：2019-03-21
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种铝合金制备装置。所述装置在使用时首先将TiH2粉、铝粉及硼氢化钛粉混合均匀并压制成第二合金预制块；将硼粉、钛粉及铝粉压制成第一合金预制块，并将两种块体放置或者压制在一起，引燃第一合金预制块后，第二合金预制块受热TiH2粉及硼氢化钛粉分解并进一步发生自蔓延反应，最终第二合金预制块内通过自蔓延反应形成细小TiB2颗粒、含氢钛铝熔体及氢气，氢气的形成瞬间产生高压，将TiB2颗粒及含氢钛铝熔体液滴喷射至预先熔炼好的纯铝熔体中，经过除气处理，除渣后，形成Al-5%Ti-xB中间合金。所述装置可以减小TiB2颗粒尺寸，提高其在中间合金中的弥散效果，同时减少细化剂制备的环境污染，进而提高了制备的铝合金的力学性能。
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公开(公告)号：CN109097828A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201810844087.9
申请日：2018-07-27
申请人： 孟静
CPC分类号： C30B29/06 , B28D5/00 , C30B11/003 , C30B11/02
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的制备系统，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备系统包括单晶硅棒生长装置、单晶硅棒切割装置、硅片裁切装置、硅片清洗装置以及硅片烘干装置。所述单晶硅棒生长装置用于生长单晶硅棒；所述切割装置用于对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；所述裁切装置用于对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；所述清洗装置用于对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；所述硅片烘干装置用于将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备系统能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN109053163A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811233358.3
申请日：2018-10-23
申请人： 孟静
CPC分类号： C04B35/10 , B28B1/001 , B33Y30/00 , B33Y50/02 , B33Y70/00 , C04B35/58071 , C04B35/622 , C04B2235/6026
摘要： 本发明公开了一种原位陶瓷复合材料的3D打印装置，涉及3D打印装置技术领域。所述装置在使用时首先将铝粉与TiO2粉按着摩尔比混合均匀，在高温下压制成复合棒材。将复合棒材与氧化硼加热至熔融态，并使之在基体处相遇，在旋转搅拌器的作用下在界面处混合均匀，由于高温作用触发氧化硼、铝与TiO2反应并生成TiB2/Al2O3陶瓷复合材料。同时运动小车系统在控制系统控制下带动承载台不断移动，TiB2/Al2O3陶瓷复合材料层不断按着程序的设定铺展，最终获得所需的TiB2/Al2O3陶瓷复合材料的3D形状。所述装置在使用时采用3D打印结合自蔓延法制备陶瓷材料技术进行精密成型，具有方法简单，效率高，制备零件的精度高等特点。
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公开(公告)号：CN108908764A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810844060.X
申请日：2018-07-27
申请人： 孟静
CPC分类号： B28D5/00 , B28D5/0058 , B28D5/0076 , C30B11/003 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种单晶硅片的制备方法，涉及晶体的生长方法技术领域。所述制备方法通过所述单晶硅棒生长装置生长单晶硅棒；通过所述切割装置对所述单晶硅棒进行切割，制备成厚度符合要求的单晶硅片；通过所述裁切装置对所述硅片进行裁切处理，加工出需要的形状；通过所述清洗装置对裁切后的硅片进行清洗，去除硅片表面的杂质；通过所述硅片烘干装置将清洗后的硅片进行烘干处理。所述制备方法能够顺利完成单晶硅片的制备，且系统结构较为简单，制备方便。
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公开(公告)号：CN108878063A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810709171.X
申请日：2018-07-02
申请人： 孟静
CPC分类号： H01B13/00 , H01B1/02 , H01B13/0016
摘要： 本发明公开了一种铜包铝线缆的制备方法，涉及金属材料的制备方法技术领域。所述方法首先使用铜包铝棒材制备炉制备铜包铝棒材；然后制备好的铜包铝棒材输送至拉拔机进行拉拔处理，通过拉拔机对所述铜包铝棒材进行若干次拉拔形成铜包铝线材，使其铜包铝线材的直径满足要求；最后将制备好的铜包铝线材输送至退火炉中处理，使包裹在铝芯外侧的铜层与铝芯之间紧密贴合到一起，形成铜包铝线缆。所述方法利用铜的离心铸造及铜和铝定向凝固结合来制备铜包铝复合棒材，由于采用了铜层级铝芯的定向凝固技术，因而具有铝和铜界面结合良好且铝和铜强度高的优点。
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公开(公告)号：CN108796606A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810740370.7
申请日：2018-07-07
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备装置，涉及多晶硅的制备装置技术领域。所述装置首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
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公开(公告)号：CN108706590A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201810740381.5
申请日：2018-07-07
申请人： 孟静
IPC分类号： C01B33/037 , C30B28/10 , C30B29/06
CPC分类号： C01B33/037 , C30B28/10 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种太阳能级多晶硅制备方法，涉及多晶硅的制备方法技术领域。所述方法首先通过钛‑硅合金熔体的硅与二硅化钛的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除硅熔体中的碳、硼、磷等元素，然后进一步铝‑硅合金合金熔体的铝与硅的多次共晶定向凝固及等离子熔炼去除钛、铁等元素，然后通过对多晶硅的提拉实现再次提纯，通过上述三步能够去除多晶硅中的多种杂质，提高制备的太阳能级多晶硅纯度。
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公开(公告)号：CN109853000A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910103164.X
申请日：2019-02-01
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种铝合金型材的制备方法，涉及铝合金的制备方法技术领域。所述方法包括如下步骤：通过电解原位制备铝合金装置制备铝硅锭；将制备的铝硅锭放入挤压成型机的模具中进行挤压成型，得到所述铝合金基材；对得到的铝合金型材采用喷水和浸水的方法进行冷却淬火；对经过淬火处理后的铝合金型材采用静电喷涂法依次喷涂保护层、色漆涂层和清漆涂层，制得所述铝合金型材；冷却至室温后完成铝合金型材的制备。所述方法在制备铝硅锭的过程中具有节能、效率高且成本低等优点。
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公开(公告)号：CN109852836A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910216466.8
申请日：2019-03-21
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种铝合金铸件制备方法，涉及铝合金制备方法技术领域。所述方法首先将纯铝粉末、纯钛粉末及硼氢化钛粉末混合均匀作为细化剂，细化剂混合粉末通过高温预热使得硼氢化钛分解，且经过高温使得细化剂混合粉末中的自蔓延反应形成细小的TiAl3及TiB2颗粒，再经过高温挤压成含有氢气孔的丝状细化剂，然后将丝状细化剂切割为细小块状细化剂，最后通过高压喷射方法将细小块状细化剂喷射进入铝合金熔体中，在熔体凝固后起到细化作用，铝合金熔体中的残余氢元素通过抽真空去除。所述方法工艺简单，制备出的铝合金细化效果好，提高了铝合金铸件的强度。
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公开(公告)号：CN109750188A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201910216596.1
申请日：2019-03-21
申请人： 孟静
摘要： 本发明公开了一种铝合金门窗生产方法。所述方法在制备铝合金锭的过程中，首先将TiH2粉、铝粉及硼氢化钛粉混合均匀并压制成第二合金预制块；将硼粉、钛粉及铝粉压制成第一合金预制块，引燃第一合金预制块后，第二合金预制块受热TiH2粉及硼氢化钛粉分解并进一步发生自蔓延反应，最终第二合金预制块内通过自蔓延反应形成细小TiB2颗粒、含氢钛铝熔体及氢气，氢气的形成瞬间产生高压，将TiB2颗粒及含氢钛铝熔体液滴喷射至预先熔炼好的纯铝熔体中，形成Al-5%Ti-xB中间合金。可以减少TiB2颗粒尺寸，提高其在中间合金中的弥散效果，同时减少细化剂制备的环境污染，因此，提高了制备的铝合金门窗的强度，并降低了环境污染。
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