公开(公告)号：CN117735548A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311836539.6

申请日：2023-12-28

申请人： 宁夏福泰硅业有限公司 ,  宁夏福泰材料科技有限公司 ,  中国科学院过程工程研究所

发明人： 李运昌 ,  刘周恩 ,  刘宇航 ,  陆平 ,  席成涛 ,  陈锦溢 ,  华超

IPC分类号： C01B32/354 ,  C01B33/107

摘要： 本发明提供了一种深度脱除电子级氯硅烷中痕量磷硼杂质用改性活性炭的制备方法，包括：S1、氧化改性，将活性炭原料制备成成型活性炭，然后将成型活性炭放入氧化剂中充分接触，使氧化剂充分进入活性炭内并与活性炭组分发生氧化反应，将活性炭内结构进行调整，增加其比表面积，并改善其内孔结构；S2、还原改性，将步骤S1得到的氧化活性炭放入含氮还原剂中充分接触，使含氮还原剂充分进入活性炭内并与活性炭组分发生还原反应，使活性炭表面负载含氮活性组分，增加活性炭的极性及活性，得到改性活性炭。本发明得到的改性活性炭的比表面积大，且由于负载了能提高极性的含氮官能团，而使其吸附亲和力和吸附速率增强，可有效深度脱除氯硅烷中磷硼杂质。

公开(公告)号：CN117756118A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311836304.7

申请日：2023-12-28

申请人： 宁夏福泰材料科技有限公司 ,  宁夏福泰硅业有限公司 ,  中国科学院过程工程研究所

发明人： 刘宇航 ,  陆平 ,  李运昌 ,  刘周恩 ,  席成涛 ,  陈锦溢 ,  华超

IPC分类号： C01B33/107 ,  B01J19/00

摘要： 本申请提供了一种深度脱除痕量磷硼杂质制备电子级三氯氢硅的方法，包括：将三氯氢硅粗品精馏分离依次脱除重组分杂质、轻组分杂质，得到含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品；将含有难以脱除痕量磷硼杂质的三氯氢硅产品蒸发成三氯氢硅蒸汽后通入到流化床吸附磷硼杂质装置内，并与改性活性炭吸附剂在流态化下充分接触混合，使三氯氢硅蒸汽中的痕量磷硼杂质被改性活性炭吸附剂充分吸附而被脱除，获得低磷硼杂质含量的三氯氢硅，改性活性炭吸附剂是通过氧化改性扩容和还原改性负载高活性含氮官能团制备得到。本申请还提供了用于上述方法的装置。本申请可深度脱除电子级三氯氢硅中磷硼杂质含量，大幅降低电子级三氯氢硅生产能耗。