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公开(公告)号：CN117177650A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202310686499.5
申请日：2023-06-12
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明属于压电材料技术领域，涉及一种压电复合材料及其制备方法和应用。本发明所制得的压电复合材料是基于Zr/Te共掺的Cs2Ag0.3Na0.7InCl6双钙钛矿@PVDF复合膜，相对于Cs2Ag0.3Na0.7InCl6双钙钛矿填料，在PVDF基体中掺入Zr/Te共掺的Cs2Ag0.3Na0.7InCl6双钙钛矿填料可以显著提高β相含量，通过合理添加Zr和Te的掺杂量可以显著提高Cs2Ag0.3Na0.7InCl6晶体的极性，从而形成强大的内嵌电场，以提升复合膜的介电性能和自发极化效应。
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公开(公告)号：CN114591738A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210164869.4
申请日：2022-02-23
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种可独立改变卤素含量的Mn2+掺杂CsPbCl3纳米晶的制备方法，属于半导体发光领域。本发明通过卤素热注法合成Mn2+掺杂CsPbCl3钙钛矿纳米晶，首次实现了在Mn2+掺杂浓度固定的情况下单独改变卤素密度，通过调节卤素含量，减少缺陷(陷阱)态，减小电子‑声子耦合效应和高温下的热降解作用，使其光学性能和稳定性更优；本发明钙钛矿纳米晶实现了通过改变卤素含量调控激子和Mn2+的光学性质，具有潜在的纳米荧光粉应用。
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公开(公告)号：CN115521561A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210937507.4
申请日：2022-08-05
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种配体修饰的高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种配体修饰的高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜，所述高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜通过在前驱体溶液中加入3,3‑二苯基丙胺(DPPA)、正辛胺溴(OABr)进行配体修饰。
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公开(公告)号：CN115651645B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202211372775.2
申请日：2022-11-02
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料及其制备方法与应用，属于发光材料技术领域。本发明公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料，所述的锆、铋共掺杂双钙钛矿的荧光粉材料，以投料比(毫摩尔/mmol)计，其化学式为Cs2AgxNa1‑xInCl6:y％Bi3+，z％Zr4+；其中0.1≤x≤1.0，1％≤y％≤10％，10％≤z％≤100％；y是Bi与In的投料比，z是Zr与In的投料比。本发明还公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料的制备方法。本发明也公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料在LED照明领域的应用，所述应用过程包括锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料与光学胶水进行混合后制得的发光薄膜覆盖在UV‑LED芯片上，制成LED小灯。
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公开(公告)号：CN115521561B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210937507.4
申请日：2022-08-05
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种配体修饰的高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种配体修饰的高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜，所述高稳定MAPbBr3钙钛矿量子点@聚合物光学膜通过在前驱体溶液中加入3,3‑二苯基丙胺(DPPA)、正辛胺溴(OABr)进行配体修饰。
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公开(公告)号：CN115746841B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211332995.2
申请日：2022-10-28
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜，所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法，所述制备方法包括：将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用，所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件，在60～90℃及蓝光环境下均能保持74％以上的量子效率。
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公开(公告)号：CN115746841A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211332995.2
申请日：2022-10-28
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜及其制备方法与应用，属于光学膜技术领域。本发明公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜，所述Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜通过将CdBr2加入到包含FABr、PbBr2、PVDF、N,N‑二甲基‑N‑(3‑磺丙基)‑1‑十八烷铵内盐、辛基溴化胺的前驱体溶液后制得。本发明还公开了一种Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜的制备方法，所述制备方法包括：将加入CdBr2的前驱体溶液经超声、离心脱泡、刀片刮涂、干燥后制得。本发明也公开了Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜在发光器件领域中的应用，所述应用包括将Cd2+掺杂的高稳定FAPbBr3量子点光学膜用于发光器件，在60～90℃及蓝光环境下均能保持74％以上的量子效率。
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公开(公告)号：CN115678547A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211361552.6
申请日：2022-11-02
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种多模态发光防伪材料及其应用，属于荧光防伪材料技术领域。本发明公开了一种多模态发光防伪材料，所述多模态发光防伪材料由锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料与聚苯乙烯聚合物溶液混合后制得；所述锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料，以投料比(毫摩尔/mmol)计，其化学式为Cs2AgxNa1‑xInCl6：y％Bi3+，z％Zr4+；其中0.1≤x≤1.0，1％≤y％≤10％，10％≤z％≤100％；y是Bi与In的投料比，z是Zr与In的投料比。本发明还公开了一种多模态发光防伪材料在防伪领域的应用，所述应用包括将多模态发光防伪材料以丝网印刷的方式涂在载体上，制备成发光防伪产品。
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公开(公告)号：CN115651645A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211372775.2
申请日：2022-11-02
申请人： 宁波工程学院
摘要： 本发明涉及一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料及其制备方法与应用，属于发光材料技术领域。本发明公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料，所述的锆、铋共掺杂双钙钛矿的荧光粉材料，以投料比(毫摩尔/mmol)计，其化学式为Cs2AgxNa1‑xInCl6:y％Bi3+，z％Zr4+；其中0.1≤x≤1.0，1％≤y％≤10％，10％≤z％≤100％；y是Bi与In的投料比，z是Zr与In的投料比。本发明还公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料的制备方法。本发明也公开了一种锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料在LED照明领域的应用，所述应用过程包括锆、铋共掺杂单组分双钙钛矿的荧光粉材料与光学胶水进行混合后制得的发光薄膜覆盖在UV‑LED芯片上，制成LED小灯。
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