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公开(公告)号：CN1289722C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310117761.7
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂漏斗具有漏斗体、在漏斗体上端设有漏斗盖、挂钩。用掺杂漏斗掺杂方法的主要步骤为：1)将掺杂剂装在掺杂漏斗中；2)在多晶硅完全熔化后降下掺杂漏斗至单晶炉炉膛内掺杂。若掺入的是锑，则降掺杂漏斗至漏斗下部漏嘴离熔硅液面10至20mm高度，使受热熔化的锑滴入硅熔体内而被吸收；若掺入的是磷或砷则降低漏斗至漏斗下部的漏斗嘴浸入液面5至10mm深，使气化的掺杂剂通过漏嘴进入硅熔体并被吸收。本发明使用的掺杂漏斗掺杂，提高了磷、砷、锑的掺杂效率(磷、砷、锑被熔体吸收的比例)，减少了高纯掺杂剂的使用量和环境污染，其中磷、砷的掺杂效率约为90%，锑的掺杂效率接近100%。
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公开(公告)号：CN1556255A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310117761.7
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗。用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂漏斗具有漏斗体、在漏斗体上端设有漏斗盖、挂钩。用掺杂漏斗掺杂方法的主要步骤为：1)将掺杂剂装在如权利要求1所述的掺杂漏斗中；2)在多晶硅完全熔化后降下掺杂漏斗至单晶炉炉膛内掺杂。若掺入的是锑，则降掺杂漏斗至漏斗下部漏嘴离熔硅液面10至20mm高度，使受热熔化的锑滴入硅熔体内而被吸收；若掺入的是磷或砷则降低漏斗至漏斗下部的漏斗嘴浸入液面5至10mm深，使气化的掺杂剂通过漏嘴进入硅熔体并被吸收。本发明使用的掺杂漏斗掺杂，提高了磷、砷、锑的掺杂效率(磷、砷、锑被熔体吸收的比例)，减少了高纯掺杂剂的使用量和环境污染，其中磷、砷的掺杂效率约为90％，锑的掺杂效率接近100％。
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公开(公告)号：CN1289723C
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200310117762.1
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的熔体上部保温装置。它具有保温罩、在保温罩外侧设有上盖板并固定在保温罩上端、上盖板放置在支承筒上。保温罩为上、下两中空圆锥台连接件。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的熔体上部保温装置加强了对单晶的冷却作用，从而增大了固液界面处的温度梯度，使用本发明的熔体上部保温装置解决了在普通标准热场中不能生长六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的难题，使六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的生长变得与普通高电阻率直拉硅单晶一样容易。
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公开(公告)号：CN1292102C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310117760.2
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的熔体上部保温装置。它具有保温罩，保温罩内侧设有内导气筒，并固定在保温罩底部，保温罩外侧设有上盖板，与保温罩上部相接，并放置在支承筒上。保温罩为中空圆锥台。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，使18英寸以上的大热场熔体表面挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的熔体上部保温装置采用保温罩加内导气筒的双层结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了用18英寸以上的大热场拉晶时固液界面处的温度梯度G。本发明解决了使用18英寸以上的普通大热场不能拉制八英寸重掺砷硅单晶的难题，取得了良好的效果。
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公开(公告)号：CN1556256A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310117760.2
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于八英寸重掺砷硅单晶制造的上部热场。它具有保温罩，保温罩内侧设有内导气筒，并固定在保温罩底部，保温罩外侧设有上盖板，与保温罩上部相接，并放置在支承筒上。保温罩为中空圆锥台。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，使18英寸以上的大热场熔体表面挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部；本发明的新型热场采用保温罩加内导气筒的双层结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了用18英寸以上的大热场拉晶时固液界面处的温度梯度G。本发明解决了使用18英寸以上的普通大热场不能拉制八英寸重掺砷硅单晶的难题，取得了良好的效果。
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公开(公告)号：CN1556257A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN200310117762.1
申请日：2003-12-30
申请人： 宁波立立电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶上部热场。它具有保温罩、在保温罩外侧设有上盖板并固定在保温罩上端、上盖板放置在支承筒上。保温罩为上、下两中空圆锥台连接件。本发明增强了熔体表面气流的吹扫作用，挥发产生的细小颗粒被有效地吹离熔体上部。本发明的新型热场结构加强了对单晶的冷却作用，从而增大了固液界面处的温度梯度，使用本发明的新型热场解决了在普通标准热场中不能生长六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的难题，使六英寸和八英寸重掺磷直拉硅单晶的生长变得与普通高电阻率直拉硅单晶一样容易。
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