-
公开(公告)号:CN118343835A
公开(公告)日:2024-07-16
申请号:CN202410252227.9
申请日:2024-03-06
Applicant: 宁波职业技术学院
Abstract: 本发明属于半导体气敏材料技术领域,具体涉及一种中空In2O3纳米纤维气敏材料的制备方法和应用。所述中空In2O3纳米纤维气敏材料的制备方法,包括将聚乙烯吡咯烷酮纤维膜浸润至含铟化合物和含铬化合物的混合溶液中,静置一段时间后取出,用氮气吹扫,最后进行高温煅烧;采用原子层沉积法,对In2O3纳米纤维进行Cr3+修饰,得到具有中空多重异质结构的In2O3纳米纤维气敏材料,用于气体传感器中对二甲苯也有较好的选择性。