一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法

    公开(公告)号:CN108395261A

    公开(公告)日:2018-08-14

    申请号:CN201810324325.3

    申请日:2018-04-12

    摘要: 本发明公开一种玻璃熔窑用高温高辐射率硅砖及其制备方法,所述硅砖包括硅砖主体,硅砖主体表面涂覆有纳米红外涂层;硅砖主体包括不同级配的硅质原料、矿化剂、复合添加剂与碳化硅;纳米红外涂层包含硅质高辐射基料、硅微粉,硼化硅、氮化硅、硅溶胶、助剂与去离子水;本硅砖通过配料、混练、成型、干燥、喷涂、表干、烧结一系列步骤制备得到;本发明的硅砖表面覆有一层纳米级高辐射率红外涂层,该涂层经高温烧结后牢固地附于硅砖主体的表面,并部分渗透进硅砖主体,能够显著提高硅砖在高温下的辐射率,强化玻璃窑内辐射传热,实现节能减排效益;另外,致密涂层也可以起到保护硅砖,延长硅砖使用寿命的作用。