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发明公开
镁合金表面微弧氧化膜-HKUST-1-pGOLDHs复合膜的制备方法及其应用审中-实审

公开(公告)号：CN118127510A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410055791.1

申请日：2024-01-15

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 陈燕宁 , 赵文静 , 杨康 , 孙月花 , 任健

IPC: C23C28/04 , C25D11/30

Abstract: 本发明公开了一种镁合金表面微弧氧化膜‑HKUST‑1‑pGOLDHs复合膜的制备方法，包括如下步骤：A1)先在镁合金表面制备微弧氧化膜层；A2)在微弧氧化后的镁合金表面进行原位生长HKUST‑1‑pGO/LDHs膜；A3)将步骤A2)中原位生长反应后的镁合金膜层进行反复清洗2‑5次，干燥过夜即可。本发明还公开了该镁合金表面微弧氧化膜‑HKUST‑1‑pGOLDHs复合膜的应用。本发明通过利用对氨基苯酚对GO进行修饰，得到负载有机缓蚀剂的pGO复合物，后利用一步水热法在镁合金微弧氧化膜层表面实现pGO/LDHs复合纳米片的原位生长，同时利用表面酰胺键诱导HKUST‑1原位生长，对pGO/LDHs膜层表面存在的孔洞进行密封，提高了微弧氧化膜层的致密性，延伸了腐蚀介质入侵的路径，同时可对膜层损伤部位进行修复，弥补膜层缺陷。

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