公开(公告)号：CN120060672A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510535098.9

申请日：2025-04-27

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 杨毅帆 ,  李梦阳 ,  徐亮 ,  赵卓 ,  杨成 ,  章文锦 ,  杨坤鹏 ,  蔡澳

IPC: C22B58/00 ,  C08G16/02 ,  C08G16/04 ,  B01J20/26 ,  B01J20/30 ,  C22B3/30

Abstract: 本发明公开了一种选择性分离提取镓的方法，属于有色金属冶金技术领域。本发明的一种选择性分离提取镓的方法，针对酸性复杂体系中低浓度镓分离提取效率低下，传统镓吸附材料选择性不足、吸附容量有限等问题，基于镓离子的配位化学特性，设计合成具有精准空腔尺寸和多重配位位点的偕胺肟功能化杯芳烃结构单元，通过动态共价化学调控构建具有高结晶性和多孔性的三维共价有机框架材料。形成对镓离子的多重识别位点，兼具强选择性配位能力、高化学稳定性和大比表面积优势，能够实现酸性多金属共存环境下低浓度镓的高效捕获与富集回收。

公开(公告)号：CN118877928A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410973500.7

申请日：2024-07-19

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 徐亮 ,  赵卓 ,  杨成 ,  施全 ,  蔡澳 ,  李梦阳 ,  韩晓雨 ,  何肖阳

IPC: C01G15/00

Abstract: 本发明属于有色金属冶金技术领域，具体涉及一种短流程制备羟基氧化镓粉体的方法。本发明以镓的无机盐为原料，在超声外场作用下，使镓盐与去离子水直接发生反应，一步制备羟基氧化镓粉体材料。本发明技术方案流程短、效率高，生产过程中基本不使用化学试剂，不仅极大程度上降低了由生产流程或试剂原料引入杂质污染的风险，有利于获得高纯产品，而且生产工艺具有成本低、对环境友好等优点，制备得到的羟基氧化镓粉体可直接进一步用于生产高纯氧化镓半导体材料。