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公开(公告)号：CN118893497A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411114197.1
申请日：2024-08-14
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明提供了一种优化碳化硅晶片单抛几何参数的工艺，通过对晶片在陶瓷盘上不同位置的去除量进行计算分析，在翻面贴蜡时，对晶片进行180°旋转；通过对称方式使得对碳化硅晶片去除量均匀，最终使得晶片厚度均匀；该种优化方式，不仅改善了碳化硅晶片的几何参数，还优化了晶片的面型，使得塌边现象大大减少；工艺通过大量数据统计分析，此种方式对碳化硅晶片TTV改善最为明显。为了避免作业人员出错，每次贴蜡前需要人工选择甩蜡偏移角度，故设定不同配方，员工在贴片前确定贴蜡面，选择相应的配方即可；这种方式不仅方便作业员操作，也避免了人员犯错；通过本发明设计能在不同批次、不同厚度碳化硅晶片中实现。
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公开(公告)号：CN118342353A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410679901.1
申请日：2024-05-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片双面打磨、清洁加工装置及方法，包括安装板，所述安装板的两侧分别固定连接有第一放置板和第二放置板，所述第一放置板上放置有待打磨的碳化硅晶片，所述安装板上固定连接有拱形架，所述拱形架上固定连接有连接板，所述连接板的下方设有圆板，所述圆板的底部固定连接有多个用于夹持碳化硅晶片的电动吸盘。该用于碳化硅晶片双面打磨、清洁加工装置，通过设置夹持机构夹持固定碳化硅晶片，电动推杆带动夹持固定在安装环上的碳化硅晶片上升一定距离，再通过第三电动机带动安装环翻转180°，再通过电动吸盘将固定吸附翻转后的碳化硅晶片，以此实现碳化硅晶片的双面抛光打磨。
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公开(公告)号：CN117464549A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311612547.2
申请日：2023-11-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅抛光装置和工艺，该装置包括抛光盘、载物块、LED紫外光源、石墨电极和电源，所述的抛光盘上表面设有抛光垫，所述的载样块工作面设有载体薄片，LED紫外光源正对抛光盘，石墨电极与载体薄片接触，载体薄片上方还设有抛光液输出管，电源的正极与载物块、抛光液、石墨电极、电源的负极形成一个电流回路光催化辅助抛光技术利用纳米光催化剂在紫外光照射下生成经基自由基·OH的强氧化作用氧化碳化硅，避免了传统化学机械抛光存在的抛光液容易失效、腐蚀设备、污染环境、危害人体、等问题。
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公开(公告)号：CN116921337A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310951602.4
申请日：2023-07-31
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明提供一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法，包括清洗室、集中清洗夹具等装置，其中集中清洗夹具包括第一清洗夹具以及第二清洗夹具,在碳化硅晶片集中放置完毕后，通过控制第一清洗夹具翻转至第二清洗夹具上方让二者位置对应能够形成清洗区域，在清洗的过程中能够控制晶片在清洗区域内移动，让碳化硅晶片不同的位置与清洗区域内不同内壁相接触，能够让碳化硅晶片周向的边缘部分均裸露于清洗区域内，能够提高兆声清洗设备对晶片边缘部分的清洗效果，避免污染物质残留。该发明能够在碳化硅晶片清洗的过程中通过偏转夹具的方式让碳化硅晶片位置发生偏转，加强了对其底端边缘位置的清洁效果，提高了整体清洁效率。
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公开(公告)号：CN116787237A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310967129.9
申请日：2023-08-01
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC分类号： B24B1/00
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体电化学抛光工艺，使用本发明的工艺，粗抛中碳化硅晶体表面粗糙度Sa从83.364nm下降到1.977nm；半精抛30min内使碳化硅晶体表面粗糙度Sa从2.195nm下降到0.489nm，在提高抛光效率的基础上，还能兼顾表面质量；精抛光能够得到无损伤、超光滑表面，表面粗糙度Sa达到0.112nm，符合碳化硅作为衬底材料的使用要求，同时材料去除率MRR达到0.849km/h。
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公开(公告)号：CN116587109A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310427677.2
申请日：2023-04-20
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种快速加工晶圆片倒角的方法及其装置，涉及碳化硅材料加工技术领域，包括S1:将晶圆片居中放置在真空吸附载台上并进行真空吸附定位；S2:三个盘式砂轮旋转、移动并靠近真空吸附载台上固定的所述晶圆片并同时对所述晶圆片进行倒角操作，且倒角过程中需要冷却水对打磨部进行冷却。本发明放弃了利用槽式砂轮加工倒角的方式，采用盘式砂轮，避免了槽式砂轮利用率不高，单片成本过高的状态。本发明采用了三体位同时加工的方式，摒弃了原始研磨方式（T1/R研磨模式、T2研磨模式、T3研磨模式）中的先后加工方式，极大的优化了加工工艺，提高了研磨的效率，降低了倒角崩边的概率，也有效的提高了倒角工序的产量，有利于大批量的商业生产。
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公开(公告)号：CN118322087A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410679896.4
申请日：2024-05-29
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶片抛光用光催化辅助设备，包括带有搅拌系统的混合储液罐，所述混合储液罐的内腔设置有小型光催化器，所述小型光催化器包括上端带有出气管的不透光外壳，所述不透光外壳的上端设置有带有泵体的抽液管，所述抽液管的出液端位于所述不透光外壳的内腔，所述抽液管的下端靠近所述混合储液罐底部设置，所述不透光外壳的内腔同轴心设置有透光内胆，且所述透光内胆的底部为开口设置，所述透光内胆的下端与所述不透光外壳的内腔底部之间设置有间隙。在混合储液罐内腔设置有小型光催化器，可延长抛光液中的二氧化钛的光照时间，且分层光照，使得二氧化钛充分且均匀地光照，有利于二氧化钛颗粒的全部激活。
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公开(公告)号：CN115889081A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211517328.1
申请日：2022-11-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶片贴腊技术领域，具体是涉及一种碳化硅晶片贴蜡装置及其方法。包括机箱和三轴移动机构，还包括：喷涂机构，设置在机箱内部并且与三轴移动机构固定连接；旋转机构，设置在喷涂机构的下方并与碳化硅晶片相连，旋转机构包括承托圆盘，承托圆盘同轴心设置在碳化硅晶片的下方；限位组件，与旋转机构相连，限位组件包括若干联动机构和若干限位机构，若干联动机构设置在承托圆盘的下端，若干联动机构沿承托圆盘圆周方向均匀阵列设置，若干限位机构两两一组，每个联动机构均与一组限位机构相连。
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公开(公告)号：CN118927140A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411071129.1
申请日：2024-08-06
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明公开了一种多尺寸兼容碳化硅晶圆剥离铲刀及铲片方法，涉及晶片加工技术领域，包括活动夹具、刀片，活动夹具设有夹槽，刀片前后两侧设有楔形刀刃，活动夹具设有旋钮，夹槽下方设有贯通的螺纹孔，旋钮上设有贯穿入夹槽的螺杆，夹槽设有L型支撑条，L型支撑条设有阻挡垫，阻挡垫与L型支撑条均延伸至夹槽两端处，阻挡垫设有摩擦斜面，摩擦斜面顶在楔形刀刃处，楔形刀刃的刀口处穿过阻挡垫上方，活动夹具设有弯折板，弯折板连接有连接架，连接架固定在握把上。本发明结构简单，可以极低成本的降低晶片崩边碎片概率，且没有表面人工操作引起的划伤，兼容直径6—8英寸之间的晶圆片，耐用性强，设有两处可替换刀刃，刀刃更换方便，适合推广。
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公开(公告)号：CN115889081B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211517328.1
申请日：2022-11-30
申请人： 安徽微芯长江半导体材料有限公司
摘要： 本发明涉及半导体晶片贴腊技术领域，具体是涉及一种碳化硅晶片贴蜡装置及其方法。包括机箱和三轴移动机构，还包括：喷涂机构，设置在机箱内部并且与三轴移动机构固定连接；旋转机构，设置在喷涂机构的下方并与碳化硅晶片相连，旋转机构包括承托圆盘，承托圆盘同轴心设置在碳化硅晶片的下方；限位组件，与旋转机构相连，限位组件包括若干联动机构和若干限位机构，若干联动机构设置在承托圆盘的下端，若干联动机构沿承托圆盘圆周方向均匀阵列设置，若干限位机构两两一组，每个联动机构均与一组限位机构相连。
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