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公开(公告)号：CN103865539A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410044110.8
申请日：2014-01-29
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明公开了一种合成水溶性半导体量子点CdTe的新方法，属于材料合成领域，解决了传统水相合成量子点产率低，反应条件苛刻的问题。本发明利用超声电化学方法，通过控制反应pH、电流大小、电流脉冲时间、超声时间、反应温度、反应时间等试验参数，在不需要N2保护和制备前驱体的情况下便可一步合成了半导体量子点CdTe，实现了单分散性量子点的粒径可控，荧光发射波长的连续可调的目的。通过该方法获得的半导体量子点CdTe荧光发射波长范围为509nm-560nm，最大量子产率为36%，为将超声电化学应用于合成其他量子点的制备提供可能性，这将在太阳能电池、光催化和传感器领域的应用上发挥重要意义。
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公开(公告)号：CN103232062A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310164984.2
申请日：2013-05-07
Applicant: 安徽理工大学
Abstract: 本发明公开了一种回收利用废弃电子脚制备纳米二氧化锡的方法，包括如下步骤：（1）制备纳米二氧化锡前驱物：以钛片做阴极，电子脚做阳极，置于碱性溶液中，在表面活性剂柠檬酸盐的存在下，在超声辐射的条件下恒电流电解反应，电解液经离心分离、去离子水洗涤、干燥后备用；（2）煅烧：将制得的纳米二氧化锡前驱物置于马弗炉中，以每分钟5℃程序升温，580-630℃下煅烧1-4h，所得产物即为纳米二氧化锡。本发明所述方法采用超声辅助电化学方法，以较低的成本和较高的产率，从废弃的电子脚上回收制备粒径分布较均一的纳米二氧化锡，具有良好的经济效益和环境效益。
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