公开(公告)号：CN104241076B

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201410222709.6

申请日：2014-05-23

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： C.W.鲁斯 ,  H.F.普雷斯特 ,  J.T.科南

IPC: H01J49/14

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/205 ,  H01J49/147

Abstract: 一种离子源，其配置成用于电子电离并产生同轴的电子和离子束。该离子源包括沿轴线的电离室、配置成用于在所述电离室中产生轴向磁场的磁体组件、电子源、以及透镜组件，其配置成用于沿着轴线将离子束从电离室引出，朝向电子源将电子束反射回，以及将更高能量的离子从离子源传送出同时朝向透镜元件反射更低能量的离子进行中和。

公开(公告)号：CN104241075A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410222159.8

申请日：2014-05-23

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： H.F.普雷斯特 ,  M.王 ,  J.T.科南

IPC: H01J49/14 ,  H01J49/34

CPC classification number: H01J49/08 ,  H01J49/0031 ,  H01J49/147

Abstract: 通过利用电子电离(EI)源进行质谱。EI源以包括低于和高于70eV的不同电子能量电离样品。EI源可用于软电离以及硬电离。可以选择电子能量的值，以便有利于分子离子或高分析值的其它离子的形成。离子源可以是轴向离子源。

公开(公告)号：CN104241075B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410222159.8

申请日：2014-05-23

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： H.F.普雷斯特 ,  M.王 ,  J.T.科南

IPC: H01J49/14 ,  H01J49/34

CPC classification number: H01J49/08 ,  H01J49/0031 ,  H01J49/147

Abstract: 通过利用电子电离(EI)源进行质谱。EI源以包括低于和高于70eV的不同电子能量电离样品。EI源可用于软电离以及硬电离。可以选择电子能量的值，以便有利于分子离子或高分析值的其它离子的形成。离子源可以是轴向离子源。

公开(公告)号：CN104241076A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410222709.6

申请日：2014-05-23

Applicant: 安捷伦科技有限公司

Inventor： C.W.鲁斯 ,  H.F.普雷斯特 ,  J.T.科南

IPC: H01J49/14

CPC classification number: H01J27/024 ,  H01J27/205 ,  H01J49/147

Abstract: 一种离子源，其配置成用于电子电离并产生同轴的电子和离子束。该离子源包括沿轴线的电离室、配置成用于在所述电离室中产生轴向磁场的磁体组件、电子源、以及透镜组件，其配置成用于沿着轴线将离子束从电离室引出，朝向电子源将电子束反射回，以及将更高能量的离子从离子源传送出同时朝向透镜元件反射更低能量的离子进行中和。