Saved successfully
Save failed
Saved Successfully
Save Failed
公开(公告)号：CN113329819A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201980080210.7
申请日：2019-09-25
Applicant: 宽腾矽公司
Inventor： 陈国钧 , 詹姆斯·比奇 , 凯瑟琳·克罗斯 , 杰瑞米·雷克伊 , 杰勒德·施密德
IPC: B01L3/00
Abstract: 一种形成集成装置的方法，其包含：使样本井形成于基板的包覆层内；使牺牲间隔物层形成于该基板上及该样本井中；执行该牺牲间隔物层的定向蚀刻以使牺牲侧壁间隔物形成于该样本井的侧壁上；使提供生物分子的附接位置的功能层形成于该基板上及该样本井中；及移除该牺牲间隔物材料。
