VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法

    公开(公告)号:CN101442183A

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200810213155.8

    申请日:2008-09-18

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本发明提供了一种VCSEL阵列器件,该VCSEL阵列器件包括形成在纵向延伸的基板上的至少第一多层反射膜、有源层,以及第二多层反射膜。通过选择性地移除第一多层反射膜、有源层,以及第二多层反射膜的至少一部分,在该基板上形成了多个台面部分。在第一多层反射膜和第二多层反射膜中的至少一个上形成有选择氧化区。该VCSEL阵列器件还包括覆盖了该台面部分的至少侧部和底部的层间绝缘膜,以及覆盖了该层间绝缘膜的表面保护膜。该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽,其中移除了该表面保护膜的至少一部分。

    VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法

    公开(公告)号:CN101442183B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN200810213155.8

    申请日:2008-09-18

    IPC分类号: H01S5/183

    摘要: 本发明提供了一种VCSEL阵列器件,该VCSEL阵列器件包括形成在纵向延伸的基板上的至少第一多层反射膜、有源层,以及第二多层反射膜。通过选择性地移除第一多层反射膜、有源层,以及第二多层反射膜的至少一部分,在该基板上形成了多个台面部分。在第一多层反射膜和第二多层反射膜中的至少一个上形成有选择氧化区。该VCSEL阵列器件还包括覆盖了该台面部分的顶部外围、侧部和底部的层间绝缘膜,以及覆盖了该层间绝缘膜的表面保护膜。该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽,其中移除了该表面保护膜的至少一部分,其中各所述槽用于隔离每个所述台面部分。