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公开(公告)号：CN101324762A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810130661.0
申请日：2006-10-27
摘要： 本发明提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且具有小于或等于10mg的泰伯磨耗量。本发明还提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且在23℃和50％RH的环境中具有1×109Ω/□～2×1011Ω/□的表面电阻率和1×1010Ωcm～2×1012Ωcm的体积电阻率。
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公开(公告)号：CN1991629A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610137471.2
申请日：2006-10-27
摘要： 本发明提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且具有小于或等于10mg的泰伯磨耗量。本发明还提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且在23℃和50％RH的环境中具有1×109Ω/□～2×1011Ω/□的表面电阻率和1×1010Ωcm～2×1012Ωcm的体积电阻率。
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公开(公告)号：CN101324762B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200810130661.0
申请日：2006-10-27
申请人： 富士施乐株式会社
摘要： 本发明提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且具有小于或等于10mg的泰伯磨耗量。本发明还提供了一种记录介质，该记录介质在内部包含磁性材料，并且在23℃和50％RH的环境中具有1×109Ω/□～2×1011Ω/□的表面电阻率和1×1010Ωcm～2×1012Ωcm的体积电阻率。
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