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公开(公告)号：CN105379098A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201380075396.X
申请日：2013-10-02
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H02M7/483
CPC分类号： H02H9/02 , H02M3/156 , H02M7/487 , H02M7/537 , H02M2001/007 , Y02B70/1483
摘要： 本发明涉及三电平逆变器，其中，在直流电源(1)上并联连接电容器(2、3)的串联电路和SiC-MOSFET等的半导体开关(4、5)的串联电路，并在电容器(2、3)的串联连接点(M点)上连接由IGBT等的半导体开关(12、13)和SiC-SBD等的二极管(10、11)构成的双向开关的一端，并且将其另一端连接于半导体开关(4、5)的串联连接点，从而构成可通过半导体开关(4、5、12、13)的动作输出三个电压电平的三电平逆变器。进行运行以使得满足交流输出电压Vo的峰值为电容器(2、3)的电压的80％以上的值的条件或输出功率因数为0.8以上的条件中至少一方的条件。因此，可利用常规的廉价元件作为半导体开关的一部分，在降低成本的同时谋求高效化、小型化。
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公开(公告)号：CN117059608A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310251640.9
申请日：2023-03-15
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/66 , H01L23/48
摘要： 本发明提供高精度地进行劣化的判定的半导体装置及半导体装置的劣化判定方法。检测导线将布线板的正面与发射极端子连接。在这样的半导体装置中，从发射极端子检测出的电位从半导体芯片的输出电极输出，将布线导线、布线板以及检测导线通电。因此，从发射极端子检测出的电位主要受布线导线的导线接合部的劣化的影响。另一方面，从发射极端子检测出的电位不受将半导体芯片的输入电极与布线板接合的接合部件的焊料接合部的劣化的影响。另外，检测导线几乎不会受到因导通布线板的电流引起的相对于导通方向而沿顺时针方向产生的磁场的影响。经由这样的检测导线从发射极端子获得的电位不包含噪声且偏差小。
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公开(公告)号：CN105379098B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201380075396.X
申请日：2013-10-02
申请人： 富士电机株式会社
IPC分类号： H02M7/483
摘要： 本发明涉及三电平逆变器，其中，在直流电源(1)上并联连接电容器(2、3)的串联电路和SiC‑MOSFET等的半导体开关(4、5)的串联电路，并在电容器(2、3)的串联连接点(M点)上连接由IGBT等的半导体开关(12、13)和SiC‑SBD等的二极管(10、11)构成的双向开关的一端，并且将其另一端连接于半导体开关(4、5)的串联连接点，从而构成可通过半导体开关(4、5、12、13)的动作输出三个电压电平的三电平逆变器。进行运行以使得满足交流输出电压Vo的峰值为电容器(2、3)的电压的80％以上的值的条件或输出功率因数为0.8以上的条件中至少一方的条件。因此，可利用常规的廉价元件作为半导体开关的一部分，在降低成本的同时谋求高效化、小型化。
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